[发明专利]晶片清洗机及一种晶片清洗的方法

说明书

本发明公开了一种晶片清洗机及一种晶片清洗的方法，旨在提供一种环境污染小、清洗效果好的晶片清洗机及防止操作者的损害、消除对环境污染，提供一种无危害的晶片清洗的备方法。本发明包括有清洗仓，所述清洗仓内依次设置有超声波NDK花王清洗装置、喷淋洗净装置和超声波纯净水清洗装置，所述超声波NDK花王清洗装置、所述喷淋洗净装置和所述超声波纯净水清洗装置均设置有若干个网杯，所述网杯内均设置有晶片。一种晶片清洗的方法包括：a.使用NDK花王清洗溶剂对晶片进行浸泡清洗；b.使用所述第一纯水对晶片进行淋浴；c.使用第二纯水对晶片进行浸泡清洗。本发明应用于晶片清洗的技术领域。

技术领域

本发明属于晶片清洗的技术领域,特别涉及一种晶片清洗机及一种晶片清洗的方法。

背景技术

石英晶体谐振器中的晶片，是制成石英晶体谐振元件的主体，石英晶体经切割定向、粗中细磨等加工后成为石英片，其被粘污的物质有油脂、蜡、研磨粉、研磨盘的金属粒子等，为了去除这些污物，必须进行清洗，以使腐蚀均匀、银层牢固，减小谐振电阻、降低老化率。由此晶片表面的清洁度程度是衡量产品能否在集成电路板上长期可靠工作的重要环节。由于酸性溶剂可以有效去除晶片表面在加工中附着的油脂、蜡、金属颗粒类粘污物质，现传统晶片清洗工艺多使用以酸性溶剂为主的清洗液如：硫酸、硝酸、盐酸等，晶片浸没在酸性清洗液内在电炉上加热，然后再经过去离子水冲洗，接着通过超声波清洗等步骤以达到去除粘污物质的目的；该种清洗方式虽清洗效果较理想，但使用电炉加热煮洗在操作中有安全隐患、长期接触酸性溶剂对人体有一定损害、清洗中产生的挥发气体对环境有一定污染，由此迫切需要一种能取代酸性清洗工艺的新清洗工艺及清洗设备。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种环境污染小、清洗效果好的晶片清洗机及防止操作者的损害、消除对环境污染，提供一种无危害的晶片清洗的方法。

本发明所采用的技术方案是：本发明包括清洗机本体，所述本体内设置有清洗仓，所述本体上设置有控制面板，所述本体上设置有与所述清洗仓相适配的封仓门，所述清洗仓内依次设置有均与所述控制面板电性连接的超声波NDK花王清洗装置、喷淋洗净装置和超声波纯净水清洗装置，所述超声波NDK花王清洗装置、所述喷淋洗净装置和所述超声波纯净水清洗装置均设置有若干个网杯，所述网杯内均设置有晶片。

进一步的，所述超声波NDK花王清洗装置包括第一清洗槽、第一提篮机构、第一液体集装箱、第一超声波仪器、第一回收槽、第一管道和NDK花王清洗溶剂，所述第一清洗槽安装于所述清洗仓的一端，所述第一提篮机构与所述第一清洗槽相适配且安装于所述第一清洗槽内，所述第一提篮机构内设置有若干个所述网杯，所述第一液体集装箱安装于所述本体的一端且与所述第一清洗槽通过第一管道相连通，所述第一超声波仪器安装于所述第一清洗槽的底部，所述第一回收槽安装于所述第一清洗槽的外侧，且与所述第一液体集装箱相连通，所述第一液体集装箱内装有所述NDK花王清洗溶剂，所述NDK花王清洗溶剂通过所述第一管道从所述第一液体集装箱流入所述第一清洗槽。

进一步的，所述喷淋洗净装置包括安装于所述清洗仓中间上的安装底板和安装于所述本体的一端上的第二液体集装箱，所述第二液体集装箱内装有第一纯水，所述安装底板上设置有若干个与所述网杯相适配的网瓶，所述安装底板的两端设置均设置有若干个喷洒机构，所述喷洒机构均与所述第二液体集装箱通过第二管道相连通，所述安装底板的底端设置有废液排放槽。

进一步的，所述超声波纯净水清洗装置包括第二清洗槽、第二提篮机构、所述第三液体集装箱、第二超声波仪器、第三管道和第二回收槽，所述第二清洗槽安装于所述清洗仓的另一端，所述第二提篮机构与所述第二清洗槽相适配且安装于所述第二清洗槽内，所述第二提篮机构内设置有若干个所述网杯，所述第三液体集装箱与所述第二清洗槽通过所述第三管道相连通，所述第三液体集装箱装有第二纯水，所述第二纯水通过所述第三管道从所述第三液体集装箱流入所述第二清洗槽，所述第二超声波仪器安装于所述第二清洗槽的底部，所述第二回收槽安装于所述第二清洗槽的外侧，且所述第二回收槽与所述第二液体集装箱相连通。