[发明专利]形成沟槽的方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

在衬底上方形成材料层；

在所述材料层中形成第一沟槽，其中，所述第一沟槽具有第一宽度；

沿着所述第一沟槽的侧壁形成共形覆盖层，其中，所述共形覆盖层具有与所述材料层不同的蚀刻速率，所述共形覆盖层是介电层并通过原子层沉积形成；

在所述第一沟槽的侧壁已被所述共形覆盖层覆盖的同时，在所述材料层中形成第二沟槽，其中，所述第二沟槽具有大于所述第一宽度的第二宽度，其中，所述第二沟槽与所述第一沟槽连通；以及

在所述第一沟槽和所述第二沟槽内形成导电部件。

2.根据权利要求1所述的方法，在形成所述第二沟槽后，延伸所述第一沟槽以将所述衬底的部分暴露于所述第一沟槽内。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述共形覆盖层包括不含碳的介电材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述材料层包括极低k(ELK)介电材料。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述材料层中形成所述第一沟槽包括：

在所述材料层上方形成第一图案化的硬掩模，所述第一图案化的硬掩模具有第一开口，所述第一开口具有所述第一宽度；

在所述第一图案化的硬掩模上方形成第二图案化的硬掩模，所述第二图案化的硬掩模具有第二开口，所述第二开口具有所述第二宽度；以及

穿过所述第一开口蚀刻所述材料层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，在所述材料层中形成所述第二沟槽包括穿过所述第二开口蚀刻所述材料层和所述第一图案化的硬掩模。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第一沟槽的侧壁已被所述共形覆盖层覆盖的同时在所述材料层中形成所述第二沟槽包括通过各向异性干蚀刻工艺来蚀刻所述材料层。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述衬底上方形成所述材料层之前，在所述衬底上方形成蚀刻停止层(ESL)；以及

在所述材料层中形成所述第一沟槽和所述第二沟槽之后，在沿着所述第一沟槽的侧壁设置所述共形覆盖层的同时蚀刻所述蚀刻停止层以暴露所述衬底。

9.一种形成半导体器件的方法，包括：

在衬底上方形成介电层；

在所述介电层上方形成第一图案化的硬掩模，所述第一图案化的硬掩模具有第一开口，所述第一开口具有第一宽度；

在所述第一图案化的硬掩模上方形成第二图案化的硬掩模，所述第二图案化的硬掩模具有第二开口，所述第二开口具有大于所述第一宽度的第二宽度，其中，所述第二开口与所述第一开口对齐；

穿过所述第一开口蚀刻所述介电层以在所述介电层中形成通孔沟槽；

沿着所述通孔沟槽的侧壁形成共形介电覆盖层，其中，所述共形介电覆盖层具有与所述介电层不同的蚀刻速率并且通过原子层沉积形成所述共形介电覆盖层；

在所述通孔沟槽的侧壁已被所述共形介电覆盖层覆盖的同时穿过所述第二开口蚀刻所述介电层以形成沟槽；以及

在所述通孔沟槽和所述沟槽内形成导电部件。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，穿过所述介电层形成所述通孔沟槽以及所述衬底的部分暴露在所述通孔沟槽内。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述共形介电覆盖层包括不含碳的介电材料。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，所述介电层包括极低k(ELK)介电材料。

13.根据权利要求9所述的方法，其中，通过各向异性干蚀刻工艺形成所述沟槽。