[发明专利]功率放大装置有效
| 申请号： | 201611048553.X | 申请日： | 2016-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN106817096B | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 渡边一雄;田中聪;中井一人;筒井孝幸 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H03F3/21 | 分类号： | H03F3/21;H03F3/24;H03F1/32 |
| 代理公司： | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 宋俊寅<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 放大 模块 | ||
1.一种功率放大装置，包括：
放大第1无线频率信号且输出第2无线频率信号的第1晶体管；
放大所述第2无线频率信号且输出第3无线频率信号的第2晶体管；
向所述第1晶体管的基极提供第1偏置电流的第1偏置电路；以及
向所述第2晶体管的基极提供第2偏置电流的第2偏置电路，
所述第1偏置电路包括：
从发射极或源极输出所述第1偏置电流的第3晶体管；
一端输入所述第1无线频率信号且另一端与所述第1晶体管的基极相连接的电容器；
一端与所述第3晶体管的发射极或源极相连接且另一端与所述第1晶体管的基极相连接的第1电阻器；
一端与所述电容器的一端相连接且另一端与所述第3晶体管的发射极或源极相连接的第2电阻器；
一端与所述电容器的一端相连接且另一端与所述第1晶体管的基极相连接的第3电阻器；
第4晶体管和第5晶体管，所述第4晶体管的发射极与所述第5晶体管的集电极相连接，其中所述第4晶体管的基极与所述第4晶体管的集电极相连接且与所述第3晶体管的基极或栅极相连接，所述第5晶体管的基极与所述第5晶体管的集电极相连接，且所述第5晶体管的发射极接地；以及
连接在所述第4晶体管的集电极和所述第5晶体管的发射极之间的第2电容器，
所述第2电阻器的电阻值小于所述第1电阻器的电阻值。
2.如权利要求1所述的功率放大装置，其特征在于，
所述第3晶体管是双极型晶体管。
3.如权利要求1所述的功率放大装置，其特征在于，
所述第3晶体管是场效应晶体管。
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