[发明专利]一种高导电弥散铜-MoS2复合材料在审
申请号: | 201611045310.0 | 申请日: | 2016-11-24 |
公开(公告)号: | CN108103347A | 公开(公告)日: | 2018-06-01 |
发明(设计)人: | 刘芳 | 申请(专利权)人: | 刘芳 |
主分类号: | C22C9/00 | 分类号: | C22C9/00;C22C32/00;C22C1/05;B22F3/14 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 110000 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 复合材料 弥散 耐磨性 高导电 磨损率 润滑膜 磨损 材料力学性能 摩擦磨损机制 塑性变形阶段 载流摩擦磨损 摩擦副表面 自润滑作用 导电性 力学性能 硫化合物 磨粒磨损 疲劳磨损 热压烧结 导电率 铜钼 黏着 发现 | ||
一种高导电弥散铜‑MoS
技术领域
本发明涉及一种粉末冶金材料,尤其涉及一种高导电弥散铜-MoS
背景技术
铜具有良好的导电导热和机械加工性能,但同时铜又具有硬度低、 强度低、 耐磨性差等特点。随着电子、机械、航空等工业的快速发展,需要研制具有良好耐磨性和力学性能的铜基复合材料,同时需要新材料保持铜的优良导电导热性能。
弥散铜又称氧化铝铜,是Cu与Al
发明内容
本发明的目的是为了改善铜基复合材料的电导率、耐磨性等性能,设计了一种高导电弥散铜-MoS
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:
高导电弥散铜-MoS
高导电弥散铜-MoS
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