[发明专利]一种N沟道增强型MOS晶体管器件在审
| 申请号： | 201611037814.8 | 申请日： | 2016-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN106783975A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 王汉清 | 申请（专利权）人： | 南通沃特光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226300 江苏省南通*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沟道 增强 mos 晶体管 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种N沟道增强型MOS晶体管器件，包括：
绝缘体上硅（SOI），所述绝缘体上硅为P型硅且具有背离掩埋氧化层的表面；
在所述绝缘体上硅内通过离子注入或原位掺杂选择性外延生长形成的N型漏区和N型源区，所述漏区和源区的顶面与所述表面共面；
位于所述漏区和源区之间的栅极结构，其包括栅极氧化层和位于栅极氧化层之上的铝栅极，其中，所述栅极氧化层为部分嵌入所述绝缘体上硅的楔形结构，嵌入深度由漏区向源区依次递减。
2.根据权利要求1所述的N沟道增强型MOS晶体管器件，其特征在于，所述栅极结构距离漏区较远，而距离源区较近。
3.根据权利要求2所述的N沟道增强型MOS晶体管器件，其特征在于，在所述N沟道增强型MOS晶体管器件工作时，所述绝缘体上硅具有由所述栅极氧化层的嵌入部分、漏区和沟道围成一不导电的盲区。
4.根据权利要求1或3所述的N沟道增强型MOS晶体管器件，其特征在于，在所述N沟道增强型MOS晶体管器件工作时，N型沟道的宽度大致相等。
5.根据权利要求1所述的N沟道增强型MOS晶体管器件，其特征在于，所述栅极结构的两侧具有氮化硅侧墙。
6.根据权利要求1所述的N沟道增强型MOS晶体管器件，其特征在于，所述栅极氧化物层覆盖整个绝缘体上硅的表面，并且漏出所述源区和漏区，并在漏出部分形成金属硅化物，以形成源极和漏极。
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