[发明专利]具有划线区域结构的三维半导体装置

权利要求书

1.一种三维半导体装置，所述三维半导体装置包括：

基底，包括芯片区域和划线区域；

单元阵列结构，包括三维地布置在基底的芯片区域上的存储器单元；

堆叠结构，设置在基底的划线区域上，堆叠结构包括竖直地并交替地堆叠的第一层和第二层；

多个竖直结构，沿与基底的顶表面垂直的竖直方向延伸，所述多个竖直结构穿透堆叠结构；以及

坝图案，沿着芯片区域的包括围绕单元阵列结构的环形形状的边缘延伸，并且设置在单元阵列结构与堆叠结构之间，

其中，堆叠结构的侧壁垂直于基底的顶表面。

2.如权利要求1所述的三维半导体装置，其中，第一层由与第二层不同的绝缘材料形成。

3.如权利要求1所述的三维半导体装置，其中，第一层包括导电材料，第二层包括绝缘材料。

4.如权利要求1所述的三维半导体装置，其中，单元阵列结构包括：

单元堆叠结构，包括竖直地交替堆叠在基底上的绝缘层和电极层；

多个单元竖直结构，穿透单元堆叠结构；以及

数据存储层，设置在每个单元竖直结构和电极层的电极之间。

5.如权利要求4所述的三维半导体装置，其中，堆叠在单元堆叠结构中的电极层的数量等于堆叠在划线区域的堆叠结构中的第一层的数量。

6.如权利要求4所述的三维半导体装置，其中，堆叠在单元堆叠结构中的电极层的数量大于堆叠在划线区域的堆叠结构中的第一层的数量。

7.如权利要求4所述的三维半导体装置，其中，堆叠结构包括焊盘部分，所述焊盘部分自基底的顶表面在竖直方向上的竖直距离随着自芯片区域在与基底的顶表面平行的方向上的水平距离减小而顺序地减小，

其中，单元堆叠结构包括焊盘部分，所述焊盘部分自基底的顶表面在竖直方向上的竖直距离随着自划线区域在与基底的顶表面平行的方向上的水平距离减小而顺序地减小，

其中，堆叠结构的焊盘部分在基底上面对单元堆叠结构的焊盘部分。

8.如权利要求1所述的三维半导体装置，其中，堆叠结构具有朝着芯片区域向下的阶梯结构。

9.一种三维半导体装置，所述三维半导体装置包括：

基底，包括芯片区域和划线区域；

单元阵列结构，包括三维地布置在基底的芯片区域上的多个存储器单元；

堆叠结构，设置在基底的划线区域上，堆叠结构包括竖直地并交替地堆叠的第一层和第二层；

坝图案，沿着芯片区域的包括围绕单元阵列结构的环形形状的边缘延伸，并且设置在单元阵列结构与堆叠结构之间；

多个竖直结构，沿着与基底的顶表面垂直的竖直方向延伸，所述多个竖直结构穿透堆叠结构，

其中，堆叠结构包括焊盘部分，所述焊盘部分自基底的顶表面在竖直方向上的竖直距离随着自芯片区域在与基底的顶表面平行的方向上的水平距离减小而顺序地减小。

10.如权利要求9所述的三维半导体装置，其中，第一层由与第二层不同的材料形成。

11.如权利要求9所述的三维半导体装置，其中，竖直结构的顶表面彼此基本共面。

12.如权利要求9所述的三维半导体装置，其中，竖直结构中的任一竖直结构穿透堆叠结构的焊盘部分中对应的焊盘部分。

13.如权利要求9所述的三维半导体装置，其中，基底具有彼此基本垂直的第一侧壁和第二侧壁，

其中，堆叠结构具有与基底的顶表面垂直的一个侧壁，

其中，竖直结构在与基底的第一侧壁平行的第一方向上延伸，

其中，竖直结构在与第一方向垂直的第二方向上彼此间隔开，

其中，第一方向和第二方向平行于基底的顶表面。