[发明专利]半导体封装及其制造方法

说明书

本发明公开了一种半导体封装，包含一内连部件，被模塑料环绕包覆，其中内连部件包含第一重布层结构；第二重布层结构，设于内连部件上；多个第一连接件，设于第二重布层结构上；抛光停止层，覆盖于内连部件的表面上；多个第二连接件，设于抛光停止层中；以及至少一半导体晶粒设于第二连接件上。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，特别是涉及一种制造具有高密度及混合式中介层衬底的半导体内连装置的方法。

背景技术

如本领域所已知的，在2.5D集成电路(IC)封装中，多个晶粒或芯片通常被设置在硅中介层上。硅中介层借由使用穿硅通孔(through substrate via或through siliconvia,下称TSV)技术达到晶粒之间的内连及外部的输出/输入(I/O)。然后，硅中介层通常经由C4凸块设置在一封装衬底上。

然而，TSV硅中介层是相对昂贵的，因此，本领域仍需要一种改进的半导体封装，其具有无TSV的中介层，而这样的中介层仍可以提供非常细间距的内连结构。

美国专利公开号US 2015/0371965 A1公开一种制造高密度电路薄膜的方法。此先前技术的缺点之一是在切割电路薄膜重布层I之前移除临时载板I。由于移除了临时载板I，缺乏足够的机械支撑，使电路薄膜重布层I的处里变得困难且产品合格率也因此较低。

发明内容

本发明的一主要目的在提供一种改良的方法，用于制造一半导体装置，其具有混合式、无TSV的中介层衬底。

本发明的另一目的在提供一种改良的方法，用于制造具有高合格率的半导体装置。

本发明一方面，提出一种半导体装置的制造方法。首先提供第一载板，其上设有抛光停止层。之后，于抛光停止层上形成重布层结构。接着，对重布层结构与第一载板进行一第一切割工艺，构成彼此分离的个别的内连部件。然后，将多个内连部件重排并安置在第二载板上。接着，形成模塑料，使其覆盖多个所述内连部件。再去除所述第二载板，以显露出各内连部件的第一重布层结构的表面。之后，于第一重布层结构的显露出的表面上与模塑料上，形成第二重布层结构。然后，于第二重布层结构上形成第一连接件。再使所述第一连接件与一第三载板接合。接着抛光模塑料与第一载板。之后完全去除第一载板以显露出抛光停止层。然后，于抛光停止层中形成复数开口。最后，分别于开口中形成第二连接件。

本发明一方面，提供一种半导体封装，包含：内连部件，被一模塑料环绕包覆，其中内连部件包含第一重布层结构；第二重布层结构，设于内连部件与模塑料上，其中第二重布层结构与第一重布层结构电连接；多个第一连接件，设于第二重布层结构上；抛光停止层，覆盖于内连部件的表面上；多个第二连接件，设于抛光停止层中；以及至少一半导体晶粒设于第二连接件上。

为让本发明的上述目的、特征及优点能更明显易懂，下文特举优选实施方式，并配合附图，作详细说明如下。然而如下的优选实施方式与附图仅供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。

附图说明

附图包括对本发明的实施例提供进一步的理解，及被并入且构成说明书中的一部份。附图说明一些本发明的实施例，并与说明书一起用于解释其原理。

图1至图16是根据本发明的实施例所绘示的制造半导体封装的示例性方法的剖面图。

其中，附图标记说明如下：

110 第一载板

111 抛光停止层

200 第一重布层(RDL)结构

201 介电层

202 绕线层

204 凸块垫

10 内连部件