[发明专利]半导体封装及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装，其包括：

内连部件，其由模塑料环绕，其中所述内连部件包括第一重布层(RDL)结构；

第二RDL结构，其安置于所述内连部件与所述模塑料上，其中所述第二RDL结构与所述第一RDL结构电连接；

多个第一连接件，其安置于所述第二RDL结构的第一侧上，所述第二RDL结构的第一侧与安置于所述内连部件和所述模塑料上的所述第二RDL结构的第二侧相对；

抛光停止层，其覆盖所述内连部件的第一侧上，所述内连部件的第一侧与所述第二RDL结构在其上安置的所述内连部件的第二侧相对，其中所述抛光停止层包括多个开口；

多个第二连接件，其安置于所述第一RDL结构的介电层上且在所述第一RDL结构的介电层中，所述多个第二连接件安置在所述内连部件的所述第一侧上且形成于所述抛光停止层的所述多个开口中；以及

至少一个半导体晶粒，其安装于所述多个第二连接件的至少一者上。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述抛光停止层包含氮化硅、氧化硅或其组合。

3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第一连接件为BGA球。

4.根据权利要求3所述的半导体封装，其中所述第一连接件具有球间距，所述球间距匹配于母板或印刷电路板(PCB)上的球垫间距。

5.根据权利要求4所述的半导体封装，其中所述第二连接件为微凸块。

6.根据权利要求5所述的半导体封装，其中所述第二连接件具有细间距，所述细间距匹配于所述至少一个半导体晶粒的主表面上的输出/输入(I/O)垫间距。

7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述抛光停止层与所述模塑料的上表面齐平。

8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述至少一个半导体晶粒通过所述多个第二连接件中的所述至少一者与所述第一RDL结构电连接。

9.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述至少一个半导体晶粒安装在所述多个第二连接件的所述至少一者上以使得所述至少一个半导体晶粒的主表面面对所述多个第二连接件中的所述至少一者。

10.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第一RDL结构包括所述介电层和绕线层。

11.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第二RDL结构包括介电层和绕线层。

12.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第二RDL结构与所述第一RDL结构电连接且其中所述第二RDL的绕线层与所述第一RDL结构的绕线层电连接。

13.根据权利要求10所述的半导体封装，其中所述第一RDL结构进一步包括电连接至所述绕线层的凸块垫，且其中所述多个第二连接件形成于所述凸块垫的上方。

14.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述抛光停止层包括介电层或钝化层。

15.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第二RDL结构进一步包括焊垫，且其中所述多个第一连接件形成于所述第二RDL结构的各个焊垫之上。

16.根据权利要求1所述的半导体封装，其进一步包括在所述第二RDL结构的所述第一侧上形成的防焊层，且其中所述多个第一连接件经由开口形成于所述防焊层中。