[发明专利]一种航天用N‑MOS高边自举驱动限流保护电路

说明书

技术领域

本发明涉及电子技术领域，尤其涉及一种航天用N-MOS高边自举驱动限流保护电路。

背景技术

随着航天器平台功率需求的增加，航天器的供电母线电压由传统的28V、42V逐渐向100V电压甚至更高的270V过度。对于100V以上的高压直流母线，以继电器+熔断器的传统配电及保护模式已经越来越显现出其方案缺陷。首先，高压继电器工艺实现较难、种类少、使用中存在着固有的机械触点拉弧打火的隐患；同时传统机械触继电器体积大、抗力学性能差，可靠性低。熔断器存在着过流保护值精度低，过载及短路故障熔断器烧断后不可恢复、熔断器熔断性能中的重要参数I2t地面可测试性差等缺点。

采用固态晶体管器件配以专用控制电路可以实现完全替代继电器+熔断器的传统供配电模式。在选用MOSFET作为功率开关时，由于P-MOS器件的制造工艺决定了其导通电阻大造成的高热耗、配电之路电压损失大的固有缺点在大功率供配电场合不再适用。

发明内容

本发明提供了一种航天用N-MOS高边自举驱动限流保护电路，包括欠压保护电路、辅助供电电路、恒流限流电路、自举供电电路、开关机及延时关断电路，所述欠压保护电路与所述辅助供电电路相连，所述辅助供电电路与所述恒流限流电路相连，所述恒流限流电路分别与所述自举供电电路和所述开关机及延时关断电路相连，所述自举供电电路与所述开关机及延时关断电路相连。

作为本发明进一步的改进，所述欠压保护电路包括电阻R7、电阻R8、电阻R14、电阻R*4、、电阻R*7、电容C3、稳压二极管V12、三极管V13、三极管V15，所述电阻R7一端连接一次母线输入端，所述电阻R7另一端分别与所述电容C3一端和所述电阻R14一端相连，电阻R*7一端分别与所述稳压二极管V12阳极和三极管V15基极相连，电阻R*4一端与所述稳压二极管V12阴极相连，所述电阻R*4另一端与所述三极管V13集电极相连，电阻R8一端连接一次母线，电阻R8另一端分别连接三极管V15集电极和三极管V13基极，三极管V13集电极与辅助供电电路相连，所述电阻R*7另一端接地，所述三极管V15发射极接地，所述三极管V13发射极接地。

作为本发明进一步的改进，所述辅助供电电路包括稳压二极管V16、电阻R9、电阻R10、三极管V11、电容C6、电容C13，所述电阻R9与所述电容C13串联组成对稳压二极管V16的RC滤波器，所述稳压二极管V16与三极管V11基极连接，三极管V11集电极与所述电阻R10相连，所述电容C6连接所述三极管V11发射极。

作为本发明进一步的改进，所述三极管V13集电极与所述稳压二极管V16阴极相连。