[发明专利]一种航天用N‑MOS高边自举驱动限流保护电路

权利要求书

1.一种航天用N-MOS高边自举驱动限流保护电路，其特征在于：包括欠压保护电路、辅助供电电路、恒流限流电路、自举供电电路、开关机及延时关断电路，所述欠压保护电路与所述辅助供电电路相连，所述辅助供电电路与所述恒流限流电路相连，所述恒流限流电路分别与所述自举供电电路和所述开关机及延时关断电路相连，所述自举供电电路与所述开关机及延时关断电路相连；

所述欠压保护电路包括电阻R7、电阻R8、电阻R14、电阻R*4、电阻R*7、电容C3、稳压二极管V12、三极管V13、三极管V15，所述电阻R7一端连接一次母线输入端，所述电阻R7另一端分别与所述电容C3一端和所述电阻R14一端相连，电阻R*7一端分别与所述稳压二极管V12阳极和三极管V15基极相连，电阻R*4一端分别与所述稳压二极管V12阴极和所述电阻R14另一端相连，所述电阻R*4另一端与所述三极管V13集电极相连，电阻R8一端连接一次母线，电阻R8另一端分别连接三极管V15集电极和三极管V13基极，三极管V13集电极与辅助供电电路相连，所述电阻R*7另一端接地，所述三极管V15发射极接地，所述三极管V13发射极接地，所述电容C3另一端接地。

2.根据权利要求1所述的航天用N-MOS高边自举驱动限流保护电路，其特征在于：所述辅助供电电路包括稳压二极管V16、电阻R9、电阻R10、三极管V11、电容C6、电容C13，所述电阻R9一端与所述电容C13的一端串联， 电阻R9与电容C13既对稳压二极管V16起RC滤波作用，同时电阻R9、稳压二极管V16一端与三极管V11的基极相连，为三极管供电电路设置静态工作点，三极管V11集电极与所述电阻R10的一端相连，电阻R10的另一端与一次母线输入端相连，用于设置三极管V11的静态工作点，所述电容C13的另一端接地，所述稳压二极管V16的另一端接地，所述电容C6的另一端接地，所述电容C6连接所述三极管V11发射极，作为辅助供电电路的滤波电容。

3.根据权利要求2所述的航天用N-MOS高边自举驱动限流保护电路，其特征在于：所述三极管V13集电极与所述稳压二极管V16阴极相连。

4.根据权利要求3所述的航天用N-MOS高边自举驱动限流保护电路，其特征在于：所述恒流限流电路包括N沟道MOSFET晶体管V1、N沟道MOSFET晶体管V4、电阻R17、电阻R18、电阻R1、电阻R49、电阻R3、电阻R4、电阻R20、电阻R21、电阻R22、电阻R13、电阻R*6、电容C1、电容C16、稳压二极管V3、三极管V5、三极管V7，所述N沟道MOSFET晶体管V1和所述N沟道MOSFET晶体管V4并联，N沟道MOSFET晶体管V1和所述N沟道MOSFET晶体管V4的D极、S极相互连接，N沟道MOSFET晶体管V1和所述N沟道MOSFET晶体管V4的栅极分别串联电阻R17、电阻R18；电阻R1作为功率回路的电流采样电阻串联在N沟道MOSFET晶体管V1、V4的S极与一次母线输出端VOUT之间，电阻R49作为N沟道MOSFET晶体管V1、V4关断时的漏电流泄放电阻一端连接在VOUT端，电阻R49另一端接地；电阻R3、电阻R4一端分别与电阻R1的两端连接，用来设置镜像电流源限流值，电阻R3、电阻R4另一端分别连接对三极管V7的两个发射极，其间跨接电容C1，用于差分采样端的滤波；电阻R20、电阻R21分别连接三极管V7的两个集电极，用于设置镜像电流源的静态工作点，其中一个对三极管的基极与电阻R21的一端短接，设置镜像电流源处于临界线性区；稳压二极管V3连接在VOUT端和电阻R22一端之间，稳定镜像电流源的工作电压，电容C16同电阻R22串联组成RC滤波器，用于稳压管电压的滤波，同时电阻R22也起到确定镜像电流源静态工作点的作用；三极管V5发射极接在N沟道MOSFET晶体管V1、V4的S极，三极管V5集电极接在N沟道MOSFET晶体管V1、V4的栅极限流电阻R17、R18一端，三极管V5集电极与电阻R*6连接，三极管V5、电阻R*6共同受镜像电流源反馈控制，控制N沟道MOSFET晶体管V1、V4的GS电压，使之工作在线性区；电阻R13分别连接三极管V5基极和电阻R20一端，三极管V5基极驱动限流电阻，所述电容C16另一端与所述稳压二极管V3阳极相连，所述电阻R20和所述电阻R21另一端与所述电阻R22一端相连，所述电阻R22另一端与所述电阻R*6另一端相连。