[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201611024497.6 | 申请日： | 2016-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN106992119A | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 陈劲达;吴汉威;谢铭峯 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 冯志云,王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置的制造方法，包括︰
形成延伸穿过位于一基底上的一介电层的一第一沟槽、一第二沟槽及一第三沟槽，其中该第二沟槽位于该第一沟槽与该第三沟槽之间，其中该第一沟槽及该第二沟槽具有一第一宽度，该第三沟槽具有大于该第一宽度的一第二宽度；
形成一材料层于该第一沟槽、该第二沟槽及该第三沟槽内；
形成一牺牲层，以完全填满剩下的该第一沟槽及该第二沟槽，其中该第一沟槽内的该牺牲层的厚度相同于该第二沟槽内的该牺牲层的厚度；
回蚀位于该第一沟槽及该第二沟槽内的该牺牲层，其中该第一沟槽内该牺牲层的余留厚度相同于该第二沟槽内的该牺牲层的余留厚度；
回蚀位于该第一沟槽及该第二沟槽内的该材料层，其中在回蚀该材料层之后，该第一沟槽内该余留的材料层的上表面与该余留的牺牲层的上表面为共平面，而该第二沟槽内该余留的材料层的上表面与该余留的牺牲层的上表面为共平面；以及
去除位于该第一沟槽及该第二沟槽内该余留的牺牲层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611024497.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
