[发明专利]半导体装置的评价装置以及半导体装置的评价方法

说明书

涉及一种能够应对半导体装置的设置面处的翘曲等、且能够降低接触电阻的半导体装置的评价装置以及半导体装置的评价方法。半导体装置的评价装置具有：卡盘台(3)，其在表面形成多个探针孔(21)，并且该卡盘台(3)对半导体装置(5)进行吸附；以及多个卡盘内探针(7)，其一端插入至各探针孔(21)，另一端从卡盘台(3)的表面凸出，并且与在卡盘台(3)设置的半导体装置(5)的设置面接触，至少1个卡盘内探针(7)的从卡盘台(3)的表面凸出的高度与其他卡盘内探针(7)的从卡盘台(3)的表面凸出的高度不同。

技术领域

本说明书所公开的技术涉及一种半导体装置的评价装置以及半导体装置的评价方法，例如涉及利用多个探针而对半导体装置的电气特性进行评价的半导体装置的评价装置以及半导体装置的评价方法。

背景技术

在对处于半导体晶片状态或者半导体芯片状态的半导体装置的电气特性进行测定时，通常使用通过真空吸附使半导体装置的1个面与卡盘台的表面接触而进行固定的方法。

就电流沿半导体装置的纵向、即面外方向流动的纵向型构造的半导体装置而言，对半导体装置的1个面进行固定的卡盘台的表面成为1个测定电极。因此，半导体装置与卡盘台的表面之间的密接性对接触电阻造成影响，其结果，对半导体装置的电气特性造成影响。

作为使半导体装置与卡盘台的表面之间的密接性恶化的原因，想到下述情况等，即，经常随半导体装置一起带入的异物被夹持于半导体装置与卡盘台的表面之间，或者由半导体装置自身的平坦度引起密接性恶化，例如在半导体晶片存在翘曲。

另外，在异物被夹持于半导体装置与卡盘台的表面之间的情况下，对半导体装置的电气特性造成影响。不仅如此，在异物被夹持于半导体装置与卡盘台的表面之间的情况下，有时在半导体装置的与该异物的接触部分、或者半导体装置的与该异物的接触部分的附近产生裂纹等缺陷，半导体装置的一部分发生破损。

例如在专利文献1中，公开了一种降低由半导体晶片的平坦度的差异引起的电极电位的测定误差的评价装置。

专利文献1所公开的评价装置通过在半导体晶片支撑台处具有与各个功率半导体元件的数量相对应的探针电极，从而能够抑制各功率半导体元件与相对应的探针电极在水平方向上的相对距离的波动，降低测定误差。探针电极经由受到通断控制的选择开关组而与评价装置连接。

专利文献1：日本特开平5-333098号公报

然而，专利文献1中示出的半导体晶片支撑台处的探针电极不能够应对半导体晶片的翘曲或者异物。

发明内容

本说明书所公开的技术用于解决上述问题，涉及一种能够应对半导体装置的设置面处的翘曲等、且能够降低接触电阻的半导体装置的评价装置以及半导体装置的评价方法。

本说明书所公开的技术的一个方式涉及的半导体装置的评价装置具有：卡盘台，其在表面形成多个探针孔，并且该卡盘台对半导体装置进行吸附；以及多个卡盘内探针，其一端插入至各所述探针孔，另一端从所述卡盘台的所述表面凸出，并且与在所述卡盘台设置的所述半导体装置的设置面接触，至少1个所述卡盘内探针的从所述卡盘台的所述表面凸出的高度与其他所述卡盘内探针的从所述卡盘台的所述表面凸出的高度不同。

本说明书所公开的技术的一个方式涉及的半导体装置的评价方法，其是使用评价装置进行的，该评价装置具有：卡盘台，其在表面形成多个探针孔，并且该卡盘台对半导体装置进行吸附；以及多个卡盘内探针，其一端插入至各所述探针孔，另一端从所述卡盘台的所述表面凸出，并且与在所述卡盘台设置的所述半导体装置的设置面接触，在所述评价方法中，至少1个所述卡盘内探针的从所述卡盘台的所述表面凸出的高度与其他所述卡盘内探针的从所述卡盘台的所述表面凸出的高度不同。

发明的效果