[发明专利]显示装置用阵列基板的制造方法和金属膜用蚀刻液组合物

说明书

技术领域

本发明涉及显示装置用阵列基板的制造方法和金属膜用蚀刻液组合物。

背景技术

半导体装置中在基板上形成金属配线的过程通常包括利用如下工序的步骤：利用溅射等的金属膜形成工序，利用光致抗蚀剂涂布、曝光和显影的在选择性区域形成光致抗蚀剂的工序及蚀刻工序，并且包括个别单元工序前后的清洗工序等。这样的蚀刻工序是指，将光致抗蚀剂作为掩模，在选择性区域留下金属膜的工序，通常使用利用等离子体等的干式蚀刻或利用蚀刻液组合物的湿式蚀刻。

以往，作为栅电极和源电极/漏电极用配线材料，使用层叠了铝或其合金和其他金属的金属膜。铝虽然价格低廉且电阻低，但耐化学性不佳，在后续工序中会诱发如下液晶面板的运行不良：因突起(hillock)等不良与其他导电层引发短路(short)现象，或者因与氧化物层的接触而形成绝缘层等。

考虑到这样的问题，作为栅电极和源电极/漏电极用配线材料，提出了铜系金属膜与钼膜、铜膜与钼合金膜、铜合金膜与钼合金膜等铜系金属膜的多层膜(韩国公开专利10-2007-0055259号)。然而，为了蚀刻这样的铜系金属膜的多层膜，存在不得不使用彼此不同的两种蚀刻液来蚀刻各金属膜的缺点。

此外，对于以往蚀刻液的情况而言，随着蚀刻工序的进行，锥角和侧蚀变化加大，会在后续工序中引发问题，并且还存在因蚀刻液内铜离子的急剧增加而需要经常更换新的蚀刻液的经济方面的问题。

现有技术问题

专利文献

专利文献1：韩国公开专利10-2007-0055259号

发明内容

所要解决的课题

为了解决上述以往技术的问题，提供显示装置用阵列基板的制造方法、由上述制造方法制造的显示装置用阵列基板和金属膜用蚀刻液组合物。

解决课题的方法

本发明提供一种显示装置用阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

a)在基板上形成栅极配线的步骤；

b)在包含上述栅极配线的基板上形成栅极绝缘层的步骤；

c)在上述栅极绝缘层上形成半导体层的步骤；

d)在上述半导体层上形成源电极和漏电极的步骤；及

e)形成与上述漏电极连接的像素电极的步骤，

上述a)步骤包括：在基板上形成铜系金属膜，并用蚀刻液组合物蚀刻上述铜系金属膜而形成栅极配线的步骤，上述d)步骤包括：在半导体层上形成铜系金属膜，并用蚀刻液组合物蚀刻上述铜系金属膜而形成源电极和漏电极的步骤，

上述蚀刻液组合物包含：(A)过氧化氢、(B)含氟化合物、(C)唑类化合物、(D)在一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物、(E)偏磷酸盐(metaphosphate)、(F)多元醇型表面活性剂和(G)去离子水。

在一个实施方式中，上述蚀刻液组合物以组合物总重量为基准可以包含：(A)过氧化氢15～25重量％、(B)含氟化合物0.01～3重量％、(C)唑类化合物0.1～2重量％、(D)在一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.5～5重量％、(E)偏磷酸盐0.1～5重量％、(F)多元醇型表面活性剂1.0～5重量％和(G)余量的去离子水。

在另一个实施方式中，显示装置用阵列基板可以为薄膜晶体管(TFT)阵列基板。

此外，本发明提供由上述制造方法制造的显示装置用阵列基板。

此外，本发明提供一种金属膜用蚀刻液组合物，其特征在于，包含：(A)过氧化氢、(B)含氟化合物、(C)唑类化合物、(D)在一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物、(E)偏磷酸盐、F)多元醇型表面活性剂和(G)去离子水。

在一个实施方式中，上述金属膜用蚀刻液组合物以组合物总重量为基准可以包含：(A)过氧化氢15～25重量％、(B)含氟化合物0.01～3重量％、(C)唑类化合物0.1～2重量％、(D)在一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.5～5重量％、(E)偏磷酸盐0.1～5重量％、(F)多元醇型表面活性剂1.0～5重量％和(G)余量的去离子水。

在另一个实施方式中，上述金属膜可以为铜系金属膜。

此外，在另一个实施方式中，上述铜系金属膜是铜或铜合金的单层膜；或包含选自铜膜和铜合金膜中的一种以上膜与选自钼膜和钼合金膜中的一种以上膜的多层膜。

发明效果

在用本发明的蚀刻液组合物蚀刻金属膜的情况下，能够将铜系金属薄膜与厚膜一并蚀刻，且能够使随处理张数增加的侧蚀和锥角变化量最小化。

具体实施方式