[发明专利]显示装置用阵列基板的制造方法和金属膜用蚀刻液组合物

权利要求书

1.一种显示装置用阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

a)在基板上形成栅极配线的步骤；

b)在包含所述栅极配线的基板上形成栅极绝缘层的步骤；

c)在所述栅极绝缘层上形成半导体层的步骤；

d)在所述半导体层上形成源电极和漏电极的步骤；及

e)形成与所述漏电极连接的像素电极的步骤，

所述a)步骤包括：在基板上形成铜系金属膜，并用蚀刻液组合物蚀刻所述铜系金属膜而形成栅极配线的步骤，所述d)步骤包括：在半导体层上形成铜系金属膜，并用蚀刻液组合物蚀刻所述铜系金属膜而形成源电极和漏电极的步骤，

所述蚀刻液组合物包含：(A)过氧化氢、(B)含氟化合物、(C)唑类化合物、(D)在一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物、(E)偏磷酸盐、(F)多元醇型表面活性剂和(G)去离子水。

2.根据权利要求1所述的显示装置用阵列基板的制造方法，其特征在于，所述蚀刻液组合物以组合物总重量为基准包含：(A)过氧化氢15～25重量％、(B)含氟化合物0.01～3重量％、(C)唑类化合物0.1～2重量％、(D)在一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.5～5重量％、(E)偏磷酸盐0.1～5重量％、(F)多元醇型表面活性剂1.0～5重量％和(G)余量的去离子水。

3.根据权利要求1所述的显示装置用阵列基板的制造方法，其特征在于，所述显示装置用阵列基板为薄膜晶体管阵列基板。

4.一种金属膜用蚀刻液组合物，其特征在于，包含：(A)过氧化氢、(B)含氟化合物、(C)唑类化合物、(D)在一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物、(E)偏磷酸盐、F)多元醇型表面活性剂和(G)去离子水。

5.根据权利要求4所述的金属膜用蚀刻液组合物，其特征在于，所述金属膜用蚀刻液组合物以组合物总重量为基准包含：(A)过氧化氢15～25重量％、(B)含氟化合物0.01～3重量％、(C)唑类化合物0.1～2重量％、(D)在一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.5～5重量％、(E)偏磷酸盐0.1～5重量％、(F)多元醇型表面活性剂1.0～5重量％和(G)余量的去离子水。

6.根据权利要求4所述的金属膜用蚀刻液组合物，其特征在于，所述含氟化合物是选自由氟化氢、氟化钠、氟化铵、氟硼酸铵、氟化氢铵、氟化钾、氟化氢钾、氟化铝和四氟硼酸组成的组中的一种以上。

7.根据权利要求4所述的金属膜用蚀刻液组合物，其特征在于，所述唑类化合物是选自由吡咯系化合物、吡唑系化合物、咪唑系化合物、三唑系化合物、四唑系化合物、五唑系化合物、唑系化合物、异唑系化合物、噻唑系化合物和异噻唑系化合物组成的组中的一种以上。

8.根据权利要求4所述的金属膜用蚀刻液组合物，其特征在于，所述在一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物是选自由丙氨酸、氨基丁酸、谷氨酸、甘氨酸、亚氨基二乙酸、氨三乙酸和肌氨酸组成的组中的一种以上。

9.根据权利要求4所述的金属膜用蚀刻液组合物，其特征在于，所述偏磷酸盐是选自由三偏磷酸钠、四偏磷酸钠和六偏磷酸钠组成的组中的一种以上。

10.根据权利要求4所述的金属膜用蚀刻液组合物，其特征在于，所述多元醇型表面活性剂是选自由甘油、三乙二醇和聚乙二醇组成的组中的一种以上。

11.根据权利要求4所述的金属膜用蚀刻液组合物，其特征在于，所述金属膜为铜系金属膜。

12.根据权利要求11所述的金属膜用蚀刻液组合物，其特征在于，所述铜系金属膜是铜或铜合金的单层膜，或包含选自铜膜和铜合金膜中的一种以上膜与选自钼膜和钼合金膜中的一种以上膜的多层膜。