[发明专利]中介物、其半导体封装及其半导体封装的制备方法

权利要求书

1.一种半导体封装的中介物，包括：

一基板部，具有一第一侧、一第二侧、以及位于该第一侧与该第二侧之间的一电互连结构，其中该基板部实质上无导电贯穿插塞；以及

一壁部，位于该第一侧并且定义一开口，其中该开口局部暴露该电互连结构。

2.如权利要求1所述的半导体封装的中介物，其中该电互连结构包括：

至少一第一导电终端，位于该第一侧；

至少一第二导电终端，位于该第二侧；以及

至少一导线，电连接该至少一第一导电终端与该至少一第二导电终端。

3.如权利要求1所述的半导体封装的中介物，其中该基板部与该壁部由不同材料形成。

4.如权利要求1所述的半导体封装的中介物，其中该壁部包括：

一中间层，位于该基板部上；以及

一强化件，位于该中间层上。

5.如权利要求1所述的半导体封装的中介物，其中该壁部具有一第三侧，位于该基板部的该第一侧上方，以及该壁部具有至少一导电贯穿插塞，贯穿该壁部。

6.如权利要求5所述的半导体封装的中介物，还包括至少一第三导电终端，位于该第三侧，其中该至少一导电贯穿插塞电连接该至少一第三导电终端至该电互连结构。

7.如权利要求6所述的半导体封装的中介物，包括多个第三导电终端，其中该壁部的顶部的介电材料分隔所述多个第三导电终端。

8.一种半导体封装，包括：

一中介物，包括：

一基板部，具有一第一侧、一第二侧、以及位于该第一侧与该第二侧之间的一电互连结构，其中该基板部实质上无导电贯穿插塞；以及

一壁部，位于该第一侧并且定义一开口，其中该开口局部暴露该电互连结构；以及

至少一第一半导体晶粒，接合至该中介物并且位于该开口中。

9.如权利要求8所述的半导体封装，其中该电互连结构包括：

至少一第一导电终端，位于该第一侧，其中该至少一第一半导体晶粒电连接至该至少一第一导电终端；

至少一第二导电终端，位于该第二侧；以及

至少一导线，电连接该至少一第一导电终端与该至少一第二导电终端。

10.如权利要求8所述的半导体封装，其中该基板部与该壁部由不同材料形成。

11.如权利要求8所述的半导体封装，其中该壁部包括：

一中间层，位于该基板部上；以及

一强化件，位于该中间层上。

12.如权利要求8所述的半导体封装，其中该壁部具有一第三侧，位于该基板部的该第一侧上方，以及该壁部具有至少一导电贯穿插塞，贯穿该壁部。

13.如权利要求12所述的半导体封装，还包括至少一第三导电终端，位于该第三侧，其中该至少一导电贯穿插塞电连接该至少一第三导电终端至该电互连结构。

14.如权利要求13所述的半导体封装，包括多个第三导电终端，其中该壁部的顶部的介电材料分隔所述多个第三导电终端。

15.如权利要求13所述的半导体封装，还包括至少一第二半导体晶粒，接合至该至少一第三导电终端，以及该至少一第二半导体晶粒位于该至少一第一半导体晶粒上方。

16.如权利要求8所述的半导体封装，还包括一物件，接合至该中介物的该第二侧。

17.一种半导体封装的制备方法，包括以下步骤：

提供一中介物，包括：

一基板部，具有一第一侧、一第二侧、以及位于该第一侧与该第二侧之间的一电互连结构，其中该基板部实质上无导电贯穿插塞；以及

一壁部，位于该第一侧并且定义一开口，其中该开口局部暴露该第一侧；以及

接合至少一第一半导体晶粒至该中介物并且位于该开口中。

18.如权利要求17所述的半导体封装的制备方法，其中提供一中介物包括：

形成该电互连结构于该基板部的一前侧；以及

自该基板部的该前侧的一对侧进行一蚀刻工艺，以形成定义该开口的该壁部。