[发明专利]半导体工艺设备与半导体装置的制造方法

说明书

本发明的一些实施例公开了一种半导体工艺设备与半导体装置的制造方法。此半导体工艺设备包括载台以及环绕载台的边缘环。此边缘环包括具有第一粗糙度的主表面。边缘环还包括连接主表面的第一侧壁。此第一侧壁具有第二粗糙度，且上述第一粗糙度大于此第二粗糙度。

技术领域

本发明一些实施例涉及半导体装置的工艺设备及使用此半导体工艺设备的半导体装置的制造方法，且特别涉及一种具有边缘环的半导体装置的工艺设备及使用此半导体工艺设备的半导体装置的制造方法。

背景技术

半导体装置被用于多种电子应用，例如个人电脑、移动电话、数位相机以及其它电子设备。半导体装置的制造通常是通过在半导体基板上依序沉积绝缘或介电层材料、导电层材料以及半导体层材料，接着使用微影工艺图案化所形成的各种材料层，以形成电路组件和零件于此半导体基板之上。在集成电路的材料及其设计上的技术进步已发展出多个世代的集成电路。相较于前一个世代，每一世代具有更小更复杂的电路。然而，这些发展提升了加工及制造集成电路的复杂度。为了使这些发展得以实现，在集成电路的制造以及生产上相似的发展也是必须的。

在半导体装置的制造中，多个工艺步骤被用以在半导体晶圆的上制造集成电路。然而，由于半导体装置的特征尺寸(feature size)持续缩小，工艺亦持续地变得更难以进行。因此，如何提升半导体装置的工艺良率面临挑战。

发明内容

本发明的一些实施例提供一种半导体工艺设备，包括：载台；及边缘环，环绕载台，其中边缘环包括：主表面，具有第一粗糙度；以及第一侧壁，连接主表面，且具有第二粗糙度，其中第一粗糙度大于第二粗糙度。

本发明的一些实施例更提供一种半导体装置的制造方法，包括：将晶圆置入半导体工艺设备中；及进行蚀刻步骤以蚀刻晶圆，其中半导体工艺设备包括：载台；及边缘环，环绕载台，其中边缘环包括：主表面，具有第一粗糙度；以及第一侧壁，连接主表面，且具有第二粗糙度，其中第一粗糙度大于第二粗糙度。

为让本发明一些实施例的特征、和优点能更明显易懂，下文特举出较佳实施例，并配合说明书附图，作详细说明如下。

附图说明

图1A是本发明一些实施例的半导体工艺设备的俯视图。

图1B是本发明一些实施例的半导体工艺设备的剖面图。

图1C是图1B于区域1C的部分放大图。

图2是本发明一些实施例的半导体装置的制造方法的流程图。

图3A是本发明一些实施例的半导体工艺设备中的粒子数量分析图。

图3B是本发明另一些实施例的半导体工艺设备中的粒子数量分析图。

图4是本发明另一些实施例的半导体工艺设备的剖面图。

图5是本发明又一些实施例的半导体工艺设备的剖面图。

图6是本发明其它一些实施例的半导体工艺设备的剖面图。

附图标记说明：

100 半导体工艺设备；

102 腔体；

104 载台；

105 上表面；

106 边缘环；

108 晶圆；

109 上表面；

110 底环；

112A 主表面；

112B 次表面；

114A 第一侧壁；