[发明专利]半导体工艺设备与半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体工艺设备，包括：

一载台；及

一边缘环，环绕该载台，其中该边缘环包括：

一主表面，该主表面的整体具有一第一粗糙度；以及

一第一侧壁，连接该主表面且面向该载台，且具有一第二粗糙度，

其中该第一粗糙度大于该第二粗糙度，

其中该第一粗糙度为0.55μm至1.2μm，而该第二粗糙度为0.001μm至0.03μm，

其中该主表面的透光率为20％至50％，而该第一侧壁的透光率为90％至99％。

2.如权利要求1所述的半导体工艺设备，其中该边缘环还包括：

一次表面，具有一第一侧边以及一第二侧边，其中该次表面的该第一侧边连接该第一侧壁；及

一第二侧壁，连接该次表面的该第二侧边，其中该第二侧壁具有一第三粗糙度，且该第一粗糙度大于该第三粗糙度。

3.如权利要求1所述的半导体工艺设备，其中该主表面与该第一侧壁于一第一转角连接，其中该第一转角具有一第四粗糙度，且该第一粗糙度大于该第四粗糙度。

4.如权利要求2所述的半导体工艺设备，其中该次表面与该第二侧壁于一第二转角连接，其中该第二转角具有一第五粗糙度，且该第一粗糙度大于该第五粗糙度。

5.如权利要求3所述的半导体工艺设备，其中该第一转角为圆角。

6.如权利要求1所述的半导体工艺设备，其中该第一侧壁为一斜面。

7.一种半导体装置的制造方法，包括：

将一晶圆置入一半导体工艺设备中；及

进行一蚀刻步骤以蚀刻该晶圆，其中该半导体工艺设备包括：

一载台；及

一边缘环，环绕该载台，其中该边缘环包括：

一主表面，该主表面的整体具有一第一粗糙度；以及

一第一侧壁，连接该主表面且面向该载台，且具有一第二粗糙度，

其中该第一粗糙度大于该第二粗糙度，

其中该第一粗糙度为0.55μm至1.2μm，而该第二粗糙度为0.001μm至0.03μm，

其中该主表面的透光率为20％至50％，而该第一侧壁的透光率为90％至99％。

8.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中该蚀刻步骤为等离子体蚀刻步骤。

9.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中该晶圆是设于该载台上，且该边缘环环绕该晶圆。