[发明专利]具有嵌入式电子装置的多个平面的封装装置在审
| 申请号: | 201610997667.2 | 申请日: | 2016-11-11 |
| 公开(公告)号: | CN106992170A | 公开(公告)日: | 2017-07-28 |
| 发明(设计)人: | 迈克尔·B·文森特;龚志伟;斯考特·M·海耶斯 | 申请(专利权)人: | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16;H01L23/31;H01L23/13;H01L21/98 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 倪斌 |
| 地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 嵌入式 电子 装置 平面 封装 | ||
1.一种封装半导体结构,其特征在于,包括:
互连层;
在所述互连层的第一主表面上的第一微电子装置;
具有空腔的基板,其中,所述空腔由垂直部分和水平部分限定,其中,所述垂直部分围绕所述第一微电子装置,所述水平部分在所述第一微电子装置上面,并且所述第一微电子装置在所述水平部分和所述互连层的所述第一主表面之间,使得所述第一装置在所述空腔中;
被附接到所述基板的所述水平部分的第二微电子装置;以及
包封剂,所述包封剂在所述互连层上并围绕所述第一微电子装置、所述基板和所述第二微电子装置,使得所述基板被嵌入在所述包封剂中。
2.根据权利要求1所述的封装半导体结构,其特征在于,所述基板具有第二空腔,其中,所述第二微电子装置在所述第二空腔中以及所述水平部分在所述第一空腔和所述第二空腔之间。
3.根据权利要求1所述的封装半导体结构,其特征在于,所述基板包括:
在所述互连层上的第一内插层,所述第一内插层具有围绕所述第一微电子装置的开口,所述开口限定所述空腔的至少一部分;以及
包括所述基板的所述水平部分的第二内插层。
4.根据权利要求1所述的封装半导体结构,其特征在于,另外包括在所述基板的所述垂直部分上的多个互连件,其中,所述包封剂暴露所述多个互连件中的每个互连件的一部分。
5.根据权利要求1所述的封装半导体结构,其特征在于,另外包括第三微电子装置,其中,所述第三微电子装置在所述水平部分的与所述第二微电子装置被附接到的表面相反的表面上。
6.一种用于形成封装半导体结构的方法,其特征在于,包括:
将第一微电子装置放置在载体上,其中,所述第一微电子装置的第一主表面与所述载体接触;
将具有空腔的基板放置在所述第一微电子装置上面,其中,所述基板具有围绕所述第一微电子装置的垂直部分,与在所述第一微电子装置和附接到所述基板的所述水平部分的第二微电子装置上面的水平部分;
在所述基板上面形成包封剂,其中,所述包封剂围绕所述第一微电子装置、所述第二微电子装置和所述基板;
去除所述载体,其中,去除所述载体暴露所述第一微电子装置的所述第一主表面和所述基板的所述垂直部分;以及
在所述第一微电子装置的所述第一主表面上、在所述基板的所述暴露垂直部分上并且在所述包封剂的一部分上形成互连层。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,在将所述基板放置在所述第一微电子装置上面之前,所述方法包括:
将所述第二微电子装置附接到所述基板的第一内插层;以及
将所述基板的第二内插层附接到所述第一内插层,其中,所述第二内插层具有围绕所述第二微电子装置的开口,并且其中,所述第一内插层包括所述基板的所述水平部分。
8.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,另外包括:
在形成所述包封剂之前,将多个互连件附接到所述基板,其中,所述基板在所述多个互连件和所述互连层之间,其中,形成所述包封剂被执行使得所述包封剂也在所述多个互连件上面形成;以及
研磨所述半导体结构以暴露所述多个互连件中的每个互连件的一部分。
9.一种用于形成封装半导体结构的方法,其特征在于,包括:
将第一微电子装置放置在载体上,其中,所述第一微电子装置的第一主表面与所述载体接触;
在所述载体上放置具有附接到第二内插层的第一内插层的基板,每个内插层具有对齐以形成空腔的开口,其中,所述空腔围绕所述第一微电子装置,并且其中,所述第一微电子装置具有大于所述第一内插层和第二内插层中的每个内插层的厚度;
在所述基板上面形成包封剂,其中,所述包封剂围绕所述第一微电子装置和所述基板;
去除所述载体,其中,去除所述载体暴露所述第一微电子装置的所述第一主表面和所述基板的所述第一内插层;以及
在所述第一微电子装置的所述第一主表面上、在所述基板的所述第一内插层上并且在所述包封剂的一部分上形成互连层。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,另外包括:
在形成所述包封剂之前,将多个互连件附接到所述基板的所述第二内插层,其中,所述基板在所述多个互连件和所述互连层之间,其中,形成所述包封剂被执行使得所述包封剂也在所述多个互连件上面形成;
研磨所述半导体结构以暴露所述多个互连件中的每个互连件的一部分;以及
在所述互连层上形成第二多个导电互连件,其中,所述互连层在所述第二多个互连件和所述包封剂之间。
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