[发明专利]像素阵列有效
| 申请号: | 201610988341.3 | 申请日: | 2016-11-10 |
| 公开(公告)号: | CN108073007B | 公开(公告)日: | 2021-08-13 |
| 发明(设计)人: | 吴妮晔;庄博钧;黄霈霖 | 申请(专利权)人: | 元太科技工业股份有限公司 |
| 主分类号: | G02F1/167 | 分类号: | G02F1/167;G02F1/16753;G02F1/1675;G09F9/00 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
| 地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 像素 阵列 | ||
1.一种像素阵列,其特征在于,包含:
栅极绝缘层;
多条第一信号线,配置于所述栅极绝缘层上;
多条第二信号线,与所述多条第一信号线交错,定义出多个像素区,且与所述多条第一信号线电性绝缘;
多个主动元件,各所述主动元件配置于所述多个像素区的其中一个中,且与所述多条第一信号线的其中一条及所述多条第二信号线的其中一条电性连接;
多个像素电极,各所述像素电极配置于所述多个像素区的其中一个中,且与所述多个主动元件的其中一个电性连接;
多条选择线,配置于所述多条第一信号线上方,与所述多条第一信号线交错以形成多个第一交错处及多个第二交错处,所述多条选择线在所述多个第一交错处与所述多条第一信号线电性连接,所述多条选择线在所述多个第二交错处与所述多条第一信号线电性绝缘,其中所述多条选择线与所述多个像素电极位于同一层,且与所述多条第二信号线电性绝缘;以及
保护层,配置于所述多条选择线与所述多条第一信号线之间,所述多条选择线在所述多条第二交错处是通过所述保护层与所述多条第一信号线电性绝缘,其中所述保护层的厚度为2000至3000埃。
2.如权利要求1所述的像素阵列,其特征在于,进一步包含第一绝缘层,配置于所述保护层与所述多条选择线之间,所述多条选择线在所述多个第二交错处是通过所述保护层及所述第一绝缘层与所述多条第一信号线电性绝缘。
3.如权利要求1所述的像素阵列,其特征在于,进一步包含第二绝缘层位于所述多条选择线上。
4.如权利要求1所述的像素阵列,其特征在于,所述多条选择线的材料与所述多个像素电极的材料相同。
5.如权利要求1所述的像素阵列,其特征在于,所述第一信号线为数据线,所述第二信号线为扫描线。
6.一种像素阵列,其特征在于,包含:
多条第一信号线;
多条第二信号线,与所述多条第一信号线交错,定义出多个像素区,且与所述多条第一信号线电性绝缘;
多个主动元件,各所述主动元件配置于所述多个像素区的其中一个中,且与所述多条第一信号线的其中一条及所述多条第二信号线的其中一条电性连接;
多个像素电极,各所述像素电极配置于所述多个像素区的其中一个中,且与所述多个主动元件的其中一个电性连接;
多条选择线,配置于所述多条第一信号线下方,与所述多条第一信号线交错以形成多个第一交错处及多个第二交错处,所述多条选择线在所述多个第一交错处与所述多条第一信号线电性连接,所述多条选择线在所述多条第二交错处与所述多条第一信号线电性绝缘,且所述多条选择线与所述多条第二信号线电性绝缘;
绝缘层,配置于所述多条选择线与所述多条第一信号线之间;以及
光阻层,配置于所述绝缘层与所述多条第一信号线之间,其中所述光阻层的厚度为2000至3600埃。
7.如权利要求6所述的像素阵列,其特征在于,所述多条选择线的材料与所述多条第二信号线的材料相同。
8.如权利要求6所述的像素阵列,其特征在于,所述多条选择线与所述多条第二信号线位于同一层。
9.如权利要求6所述的像素阵列,其特征在于,所述第一信号线为数据线,所述第二信号线为扫描线。
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