[发明专利]验证存储器件的修复结果的存储器件、存储器系统以及方法

说明书

一种存储器件，其包括存储单元阵列和控制电路，其中，存储单元阵列包括包含第一失效块的正常区域以及包含替换第一失效块的第一冗余块的冗余区域。控制电路包括存储替换信息的映射表。控制电路参考映射表以用于访问第一冗余块。当测试存储器件时，控制电路将“1”写入正常区域和第一冗余块中，将“0”写入除了第一冗余块之外的冗余区域中，将关于第二失效块和冗余区域中的第二冗余块的替换信息写入到映射表，以及关于被指派到地址信号的整个范围来基于从存储单元阵列所读取的整个数据验证采用第二冗余块替换第二失效块的结果。

对相关申请的交叉引用

本申请要求于2015年11月20日向韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2015-0163295号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用整体并入于此。

技术领域

本文中所公开的主题的示例实施方式一般涉及半导体器件，并且更具体地，涉及一种存储器件，在该存储器件中，当在失效块的主要(primary)修复完成之后导致了额外的失效块时，执行二次(secondary)修复并且实行对二次修复的验证。

背景技术

随着制造诸如动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、闪速存储器等的存储器件的工艺尺寸已经减小，失效存储单元的数量显著地增加。存储器件的存储单元阵列可以包括正常区域和冗余区域。在晶圆阶段中进行的芯片电特性拣选(EDS)测试期间在冗余区域中所发现的失效块可以被停用并且不被使用。另外，可以在EDS测试期间执行主要修复，使得可以采用冗余区域中的冗余块来替换在正常区域中所发现的失效块。

在切割晶圆并且对所切割的晶片进行封装之后可能导致额外的失效块。在这种情况下，需要在封装阶段中进行的二次修复以及对二次修复的验证。

发明内容

一些示例性实施方式可以提供一种存储器件和存储器系统，该存储器件和存储器系统当在完成晶圆阶段中的失效块的主要修复之后导致了额外的失效块时在封装阶段中执行二次修复，并且验证二次修复的结果。

一些示例性实施方式可以提供一种方法，该方法当在完成晶圆阶段中的失效块的主要修复之后导致了额外的失效块时在封装阶段中执行二次修复并且验证二次修复的结果。

根据示例性实施方式，一种存储器件包括存储单元阵列和控制电路。存储单元阵列包括正常区域和冗余区域。正常区域可以包括第一失效块，并且冗余区域可以包括替换第一失效块的第一冗余块。控制电路包括测试模式寄存器和存储第一失效块和第一冗余块之间的替换信息的映射表。当地址信号与第一失效块相对应时，控制电路参考映射表并且访问第一冗余块。当测试模式寄存器被激活并且正常区域进一步包括第二失效块时，控制电路将第一逻辑值写入正常区域和第一冗余块中，将第二逻辑值写入除了第一冗余块之外的冗余区域中，将第二失效块与冗余区域中的第二冗余块之间的替换信息添加到映射表，以及关于被指派到地址信号的整个范围来基于从存储单元阵列所读取的整个数据验证采用第二冗余块替换第二失效块的结果。

当整个数据之中的与第二冗余块相对应的部分数据中的所有具有第二逻辑值并且整个数据之中的除了所述部分数据之外的剩余数据中的所有具有第一逻辑值时，控制电路可以确定错误未被包括在采用第二冗余块替换第二失效块的结果中。

当整个数据之中的与第二冗余块相对应的部分数据具有第一逻辑值或整个数据之中的除了所述部分数据之外的剩余数据具有第二逻辑值时，控制电路可以确定错误被包括在采用第二冗余块替换第二失效块的结果中。