[发明专利]制造存储装置的方法

说明书

技术领域

本公开的各种实施方式涉及一种制造存储装置的方法，且更具体地，涉及一种制造三维存储装置的方法。

背景技术

一般地，存储装置可以被分类为易失性存储装置和非易失性存储装置。易失性存储装置在电源被切断时会丢失其中所存储的数据。另一方面，非易失性存储装置即使在电源被切断时也能保持其中所存储的数据。由此，非易失性存储装置已被广泛地用作便携式存储装置。

存储装置可以包括用于存储数据的存储器单元阵列、用于对存储器单元阵列执行编程操作、读取操作和擦除操作的外围电路以及用于控制外围电路的控制逻辑。

存储器单元阵列可以包括多个存储器块。近来，由于集成度的增加，已开发出具有三维结构的存储器块。三维存储器块包括垂直单元串，各个垂直单元串包括被层叠在与基板垂直的垂直方向上的多个存储器单元。

垂直单元串可以被设置在位线与源极线之间。各个垂直单元串可以包括垂直沟道(channel)层和存储层，并且可以与沿着存储层层叠的字线联接。存储器单元被设置在存储层与字线之间。

发明内容

本公开的各种实施方式针对一种能够提高三维存储装置的存储器单元的电荷存储容量的制造存储装置的方法。

本公开的一种实施方式提供了一种制造存储装置的方法，该方法包括以下步骤：在底层结构上形成沟道层；在所述沟道层上方形成补偿层，其中，用于所述补偿层的成核的孕育时间短于所述沟道层的孕育时间；以及执行用于使所述沟道层结晶的热处理工艺。

本公开的另一实施方式提供了一种制造存储装置的方法，该方法包括以下步骤：在底层结构上交替地层叠层间绝缘层和牺牲层；形成垂直地穿过所述层间绝缘层和所述牺牲层的垂直孔；沿着所述层间绝缘层和所述牺牲层的通过所述垂直孔的侧表面暴露出的侧壁形成存储层；沿着所述存储层的内侧表面形成沟道层；沿着所述沟道层的内侧表面形成补偿层，其中，用于所述补偿层的成核的孕育时间短于所述沟道层的孕育时间；以及执行用于使所述沟道层结晶的热处理工艺。

本公开的另一实施方式提供了一种制造存储装置的方法，该方法包括以下步骤：在底层结构上交替地层叠层间绝缘层和牺牲层；形成穿过所述层间绝缘层和所述牺牲层的垂直孔；沿着所述层间绝缘层和所述牺牲层的通过所述垂直孔的侧表面暴露出的侧壁形成存储层；沿着所述存储层的内侧表面形成非晶硅层以作为沟道层；沿着所述沟道层的内侧表面形成硅锗层以作为补偿层；以及执行用于使所述沟道层结晶的热处理工艺。

附图说明

现在将参照附图在下文中更充分地描述示例性实施方式；然而，所述示例性实施方式可以按照不同的形式来具体实现，并且不应被解释为限于本文所阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式是为了使得本公开将是彻底且完整的，并且将示例性实施方式的范围充分传达给本领域技术人员。

在附图中，为了例示清楚起见，可能夸大了尺寸。将理解的是，当一个元件被称为“在”两个元件“之间”时，所述一个元件可以是这两个元件之间的唯一元件，或者也可以存在一个或更多个中间元件。遍及全文，相同的参考标号指代相同的元件。

图1是例示根据本公开的存储系统的示图；

图2是图1中所示的存储器芯片的详细示图；

图3和图4是例示三维存储器块的实施方式的立体图；

图5A和图5B是例示根据本公开的实施方式的制造沟道层的方法的截面图；

图6A和图6B是例示根据本公开的实施方式的制造沟道层的方法的截面图；

图7A、图7B、图7C、图7D、图7E、图7F、图7G、图7H和图7I是例示根据本公开的实施方式的制造存储装置的方法的截面图；

图8是例示根据本公开的实施方式的存储系统的示图；以及

图9是例示根据本公开的实施方式的计算系统的示图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图更详细地描述实施方式。在本文中参照作为实施方式(和中间结构)的示意性示例的截面示例对实施方式进行描述。因此，预期来自例如作为制造技术和/或容限的结果的示例的形状的变化。因此，实施方式不应被解释为限于本文所例示的区域的特定形状，而是可以包括例如由制造产生的形状偏差。在附图中，为了清楚起见，可能夸大了层和区域的长度和尺寸。附图中相同的附图标记表示相同的元件。