[发明专利]制造存储装置的方法

权利要求书

1.一种制造存储装置的方法，该方法包括以下步骤：

在底层结构上形成沟道层；

在所述沟道层上方形成补偿层，其中，用于所述补偿层的成核的孕育时间短于所述沟道层的孕育时间；以及

执行用于使所述沟道层结晶的热处理工艺。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述沟道层由非晶硅层形成。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述补偿层由硅锗层形成。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，包含在所述硅锗层中的锗的浓度具有约从20％至80％的范围。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，在范围约从350℃至650℃的温度下执行所述热处理工艺。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，在氮气环境下执行所述热处理工艺。

7.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括以下步骤：

在形成所述沟道层的步骤之前，在所述底层结构上形成晶种层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述晶种层由与所述沟道层的材料相同的材料形成。

9.一种制造存储装置的方法，该方法包括以下步骤：

在底层结构上交替地层叠层间绝缘层和牺牲层；

形成垂直地穿过所述层间绝缘层和所述牺牲层的垂直孔；

沿着所述层间绝缘层和所述牺牲层的通过所述垂直孔的侧表面暴露出的侧壁形成存储层；

沿着所述存储层的内侧表面形成沟道层；

沿着所述沟道层的内侧表面形成补偿层，其中，用于所述补偿层的成核的孕育时间短于所述沟道层的孕育时间；以及

执行用于使所述沟道层结晶的热处理工艺。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述沟道层由非晶硅层形成。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述补偿层由硅锗层形成。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，包含在所述硅锗层中的锗的浓度具有约从20％至80％的范围。

13.根据权利要求9所述的方法，其中，在范围约从350℃至650℃的温度下执行所述热处理工艺达两个小时至四个小时。

14.根据权利要求9所述的方法，其中，在氮气环境下执行所述热处理工艺。

15.根据权利要求9所述的方法，该方法还包括以下步骤：

在执行所述热处理工艺的步骤之后，执行用于去除所述补偿层的蚀刻工艺。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述蚀刻工艺包括使用具有所述补偿层的蚀刻速率高于所述沟道层的蚀刻速率的蚀刻选择性的蚀刻剂执行的湿法蚀刻工艺。

17.根据权利要求9所述的方法，该方法还包括以下步骤：

在形成所述沟道层的步骤之前，沿着所述存储层的所述内侧表面形成晶种层。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述晶种层由与所述沟道层的材料相同的材料形成。

19.一种制造存储装置的方法，该方法包括以下步骤：

在底层结构上交替地层叠层间绝缘层和牺牲层；

形成穿过所述层间绝缘层和所述牺牲层的垂直孔；

沿着所述层间绝缘层和所述牺牲层的通过所述垂直孔的侧表面暴露出的侧壁形成存储层；

沿着所述存储层的内侧表面形成非晶硅层以作为沟道层；

沿着所述沟道层的内侧表面形成硅锗层以作为补偿层；以及

执行用于使所述沟道层结晶的热处理工艺。

20.根据权利要求19所述的方法，该方法还包括以下步骤：

在执行所述热处理工艺的步骤之后，执行用于去除所述补偿层的蚀刻工艺。