[发明专利]半导体功率元件有效
| 申请号： | 201610969377.7 | 申请日： | 2016-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN107068748B | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 林奕志 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/205;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 功率 元件 | ||
1.一种半导体功率元件，包含：
基板；
主动区，位于该基板上方，包含：
通道层；
阻障层，包含上表面，相对于该通道层；及
二维电子气，形成于靠近该通道层与该阻障层之间的界面处；
凹陷区，形成于该阻障层中；
第一导电型半导体层，位于该上表面上方，不与该凹陷区相互重叠；
漏极，位于该主动区上方；
栅极，位于该主动区上方，其中，该栅极的一部分设置于该凹陷区中，该栅极的另一部分覆盖该第一导电型半导体层并延伸至该漏极与该第一导电型半导体层之间；以及
介电层，位于该主动区与该栅极之间。
2.如权利要求1所述的半导体功率元件，该第一导电型半导体层是一p型导电型半导体层，具有一载流子浓度大于1E16cm-3，且小于1E18cm-3。
3.如权利要求1所述的半导体功率元件，其中，该凹陷区自该上表面延伸进该阻障层。
4.如权利要求1所述的半导体功率元件，其中该介电层位于该第一导电型半导体层以及该栅极之间，且设置于该凹陷区中。
5.如权利要求1所述的半导体功率元件，其中该凹陷区具有一底部，该介电层直接接触该底部。
6.如权利要求1所述的半导体功率元件，其中该栅极具有一侧边位于该第一导电型半导体层与该漏极之间，该凹陷区至该漏极之间的一第一距离的一半大于该侧边至该凹陷区之间的一第二距离。
7.如权利要求1所述的半导体功率元件，其中，该介电层同时包覆该凹陷区以及该第一导电型半导体层，并延伸至该阻障层的该上表面。
8.如权利要求1所述的半导体功率元件，还包括源极，位于该主动区上方，其中该第一导电型半导体层位于该源极以及该漏极之间。
9.如权利要求8所述的半导体功率元件，其中该第一导电型半导体层具有多个，且该多个第一导电型半导体层分别位于该凹陷区以及该漏极之间以及该凹陷区以及该源极之间。
10.如权利要求1所述的半导体功率元件，其中第一导电型半导体层的材料包括InxGa(1-x)N，其中0≤x1；或AlyInzGa(1-y-z)N，其中0y1以及0≤z1。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶元光电股份有限公司，未经晶元光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610969377.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：家用烹饪设备
- 下一篇：润滑脂组合物、滚动轴承和马达
- 同类专利
- 专利分类
