[发明专利]半导体器件

说明书

一种半导体器件，包括在半导体主体内部的多个晶体管单元，其每个包括第一导电类型的漂移区区段和第二导电类型的主体区。第二导电类型的第一半导体阱区布置在晶体管单元外部且在至少两个晶体管单元之间。第一半导体阱区从半导体主体表面沿着竖向方向延伸为至少与两个晶体管单元主体区的每个一样深。半导体主体包括第二导电类型且布置在晶体管单元外部的第二半导体阱区，该阱区与第一负载接触电连接。第一导电类型的分离区从表面竖向方向延伸，被布置在第一半导体阱区和第二半导体阱区之间且与这两者接触，在分离区和第一半导体阱区之间的在第一横向方向上的过渡部从表面延伸至半导体主体中定位成至少与两个晶体管单元的主体区中的每个一样深的点。

技术领域

本说明书涉及半导体器件的实施例，并且涉及生产半导体器件的方法的实施例。特别是，本说明书涉及包括多个晶体管单元和布置在晶体管单元外部的半导体阱区的半导体器件的实施例，并且涉及生产这样的半导体器件的方法的实施例。

背景技术

汽车、用电设备（consumer）和工业应用中的现代设备的许多功能（诸如转换电能和驱动电动马达或电动机器）依赖于半导体器件。例如，举几个来说，绝缘栅双极晶体管（IGBT）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和二极管已经被用于各种应用，包括但不限于电源和功率转换器中的开关。

通常，功率半导体器件包括多个晶体管单元和布置在晶体管单元外部的深半导体阱区。

例如，这样的深半导体阱区可以是具有与每个晶体管单元的主体区相同的导电类型的掺杂剂的浮动半导体区。这样的浮动半导体阱区的目的可以是例如在半导体器件的操作期间的载流子涌流或保护每个晶体管单元的栅极沟槽的底部。

进一步地，与半导体器件的源极接触电连接的半导体阱区可以被布置在半导体器件的边缘区中。例如，边缘区中的半导体阱区围绕布置在有源区中的晶体管单元。可以提供这样的结构以用于转移半导体器件的边缘附近的电流。例如，可以提供这样的结构以用于在半导体器件的关断处理期间转移空穴电流。

发明内容

根据实施例，提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：半导体主体，其具有表面并且包括具有第一导电类型的掺杂剂的漂移区；第一负载接触，其被配置用于将负载电流馈送到半导体主体中并且被布置为与所述表面接触；以及多个晶体管单元，被至少部分地形成在半导体主体内部。每个晶体管单元包括漂移区的区段和具有与第一导电类型互补的第二导电类型的掺杂剂的主体区，其中主体区和漂移区之间的过渡部形成pn结。半导体主体进一步包括至少一个第一半导体阱区，所述至少一个第一半导体阱区具有第二导电类型的掺杂剂并且被布置在晶体管单元外部并且至少部分地在至少两个晶体管单元之间。所述至少一个第一半导体阱区从所述表面沿着竖向方向延伸为至少与所述至少两个晶体管单元的主体区中的每个一样深。此外，半导体主体包括至少一个第二半导体阱区，所述至少一个第二半导体阱区具有第二导电类型的掺杂剂并且被布置在晶体管单元外部，其中所述至少一个第二半导体阱区与第一负载接触电连接。包括在半导体主体中的至少一个分离区从所述表面沿着竖向方向延伸。所述至少一个分离区具有第一导电类型的掺杂剂并且被布置在所述至少一个第一半导体阱区和所述至少一个第二半导体阱区之间并与所述至少一个第一半导体阱区和所述至少一个第二半导体阱区的每个接触，其中在所述至少一个分离区和所述至少一个第一半导体阱区之间的在第一横向方向上的过渡部从所述表面连续地延伸至半导体主体中被定位成至少与所述至少两个晶体管单元的主体区中的每个一样深的点。