[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件（1），包括：

- 半导体主体（10），其具有表面（10-1）并且包括具有第一导电类型的掺杂剂的漂移区（100）；

- 第一负载接触（E），其被配置用于将负载电流馈送到半导体主体（10）中并且被布置为与表面（10-1）接触；以及

- 多个晶体管单元（11），被至少部分地形成在半导体主体（10）内部，每个晶体管单元（11）包括漂移区（100）的区段和具有与第一导电类型互补的第二导电类型的掺杂剂的主体区（102），主体区（102）和漂移区（100）之间的过渡部形成pn结（107）；

其中所述半导体主体（10）进一步包括：

- 至少一个第一半导体阱区（103），其具有第二导电类型的掺杂剂并且被布置在晶体管单元（11）的外部并且至少部分地在至少两个晶体管单元（11）之间，并且从表面（10-1）沿着竖向方向（Z）延伸为至少与所述至少两个晶体管单元（11）的主体区（102）中的每个一样深；

- 至少一个第二半导体阱区（105、105-1、105-2），其具有第二导电类型的掺杂剂并且被布置在晶体管单元（11）的外部，其中所述至少一个第二半导体阱区（105、105-1、105-2）与第一负载接触（E）电连接；以及

- 至少一个分离区（104、104-1、104-2），其从表面（10-1）沿着竖向方向（Z）延伸并且具有第一导电类型的掺杂剂并且被布置在所述至少一个第一半导体阱区（103）和所述至少一个第二半导体阱区（105、105-1、105-2）之间并与所述至少一个第一半导体阱区（103）和所述至少一个第二半导体阱区（105、105-1、105-2）的每个接触，

其中在所述至少一个分离区（104、104-1、104-2）和所述至少一个第一半导体阱区（103）之间的在第一横向方向（X）上的过渡部（106、106-1、106-2）从表面（10-1）连续地延伸至半导体主体（10）中被定位成至少与所述至少两个晶体管单元（11）的主体区（102）中的每个一样深的点（P、P1、P2）。

2.根据权利要求1所述的半导体器件（1），其中，所述至少一个第二半导体阱区（105、105-1、105-2）被至少部分地布置在至少两个晶体管单元（11）之间，并且从表面（10-1）沿着竖向方向（Z）延伸为至少与所述至少两个晶体管单元（11）的主体区（102）中的每个一样深。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件（1），其中每个晶体管单元（11）进一步包括至少一个沟槽（111），所述至少一个沟槽（111）包括用于控制相应的晶体管单元（11）的控制电极（111-1），所述至少一个沟槽（111）沿着竖向方向（Z）延伸到半导体主体（10）中并且与主体区（102）和漂移区（100）接触。

4.根据权利要求3所述的半导体器件（1），其中所述至少一个第一半导体阱区（103）和/或所述至少一个第二半导体阱区（105、105-1、105-2）从表面（10-1）沿着竖向方向（Z）延伸为至少与所述至少两个晶体管单元（11）的沟槽（111）中的每个一样深。

5.根据权利要求3所述的半导体器件（1），其中沟槽（111）中的每个具有沟槽底部（112），并且其中所述至少一个第一半导体阱区（103）和/或所述至少一个第二半导体阱区（105、105-1、105-2）至少部分地覆盖所述至少两个晶体管单元（11）的沟槽底部（112）。

6.根据前述权利要求1-2之一所述的半导体器件（1），其中所述至少一个第一半导体阱区（103）与第一负载接触（E）绝缘。

7.根据前述权利要求1-2之一所述的半导体器件（1），其中半导体器件（1）是反向导通IGBT。