[发明专利]一种具有良好抗静电击穿能力的薄膜晶体管

权利要求书

1.一种具有良好抗静电击穿能力的薄膜晶体管，包括基板、设置在基板上的栅极、设置在基板上且覆盖栅极的栅绝缘层、在栅绝缘层表面上的半导体层、以及设置在半导体层表面的源级和漏级，且源极与漏极相对设置，其特征在于：栅绝缘层中形成第一高阻区，电导率低于栅绝缘层，且第一高阻区横穿栅绝缘层；半导体层中形成第二高阻区，电导率低于半导体层，且第二高阻区横穿半导体层。

2.根据权利要求1所述的一种具有良好抗静电击穿能力的薄膜晶体管，其特征在于：所述栅绝缘层材料为氮化硅、氧化硅或者氮氧化硅。

3.根据权利要求1所述的一种具有良好抗静电击穿能力的薄膜晶体管，其特征在于：所述第一高阻区形成在所述栅绝缘层中部，第一高阻区材料与栅绝缘层同为氮化硅，且包含N-H键、Si-H键键结，但是第一高阻区N-H键、Si-H键含量小于栅绝缘层N-H键、Si-H键含量。

4.根据权利要求1所述的一种具有良好抗静电击穿能力的薄膜晶体管，其特征在于：所述第一高阻区形成在所述栅绝缘层上部，第一高阻区材料与栅绝缘层同为氮化硅，且包含N-H键、Si-H键，但是第一高阻区N-H键、Si-H键含量小于栅绝缘层N-H键、Si-H键含量。

5.根据权利要求1所述的一种具有良好抗静电击穿能力的薄膜晶体管，其特征在于：所述半导体层材料为氧化铟镓锌。

6.根据权利要求1所述的一种具有良好抗静电击穿能力的薄膜晶体管，其特征在于：所述第二高阻区形成在所述半导体层中部。

7.根据权利要求1或5所述的一种具有良好抗静电击穿能力的薄膜晶体管，其特征在于：所述第二高阻区材料为氧化镓锌。

8.根据权利要求1或5所述的一种具有良好抗静电击穿能力的薄膜晶体管，其特征在于：所述源极以及漏极与所述半导体层之间形成氧化镓锌层。

9.根据权利要求8所述的一种具有良好抗静电击穿能力的薄膜晶体管，其特征在于：所述氧化镓锌层由多层镓含量不同的氧化镓锌分层组成，镓含量沿着由半导体层至源极以及漏极侧方向逐渐增多。

10.根据权利要求1所述的一种具有良好抗静电击穿能力的薄膜晶体管，其特征在于：所述栅极、源极以及漏极材料为Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu等金属或其合金。