[发明专利]一种触摸屏用双层ITO导电薄膜及其制备方法

说明书

技术领域

本发明属于触摸屏导电薄膜技术领域，特别涉及一种触摸屏用双层ITO导电薄膜及其制备方法。

背景技术

触摸屏在手机、平板电脑及其它显示屏上获得了极大的应用，其作为一种显著改善人机操作界面的输入设备，具有直观简单、反应速度快、节省空间和易于操作交流等优点。触摸屏制备中常用到ITO导电薄膜，ITO导电薄膜是指采用磁控溅射的方法，在透明有机薄膜材料上溅射透明ITO导电薄膜镀层得到的透明导电膜。ITO（Indium Tin Oxides，铟锡金属氧化物），作为一种采用的N型氧化物半导体，被广泛地应用于触摸屏领域。现有的ITO导电薄膜，由于其厚度对结晶过程的影响，存在电阻率高、光透过率差和使用寿命短等问题。

发明内容

基于此，本发明提供一种触摸屏用双层ITO导电薄膜及其制备方法，其具有电阻率低、光透过率高和使用寿命长等优点。

本发明的技术方案是：一种触摸屏用双层ITO导电薄膜，包括基片和分别沉积在基片两侧的上ITO电极层和下ITO电极层；所述上ITO电极层包括依次层叠设置且厚度依次增大的第一ITO电极层、第二ITO电极层和第三ITO电极层，第三ITO电极层沉积在所述的基片上；所述下ITO电极层包括依次层叠设置且厚度依次减小的第四ITO电极层、第五ITO电极层和第六ITO电极层，第四ITO电极层沉积在所述的基片上。

其中，基片不导电，通过在基片两侧设计上ITO电极层和下ITO电极层，构成电容式触摸屏用膜，通过将上ITO电极层设计成厚度依次减小的第三ITO电极层、第二ITO电极层和第一ITO电极层，下ITO电极层设计成厚度依次减小的第四ITO电极层、第五ITO电极层和第六ITO电极层，避免厚度对ITO膜结晶过程的影响，完善ITO膜的晶相结构，以提高整个ITO导电薄膜的光透过率，降低其电阻率，并增加其使用寿命，任何一点可承受8千万次以上的触摸。

本发明中，优选地，所述基片厚度为150-200微米，基片采用聚对苯二甲酸乙二醇脂树脂。聚对苯二甲酸乙二醇脂树脂具有较好的光透性，但光透性随厚度增加而降低，厚度设计为150-200微米，既能满足光透性要求，又能满足强度和韧性要求，达到光透性和使用寿命的最佳组合。

在优选的实施例中，所述第一ITO电极层和第六ITO电极层外均设有绝缘的电极保护层。电极保护层的设计进一步提升了使用寿命。

进一步地，所述第三ITO电极层和第四ITO电极层的厚度相同，为14-16纳米；所述第二ITO电极层和第五ITO电极层的厚度相同，为11-13纳米；所述第一ITO电极层和第六ITO电极层的厚度相同，为8-10纳米。基片两侧的ITO电极层采用对称式的结构设计，并严格控制各层膜的厚度，进一步降低厚度对结晶过程的影响，以降低其电阻率并提升其光透性。

本发明还提供一种触摸屏用双层ITO导电薄膜的制备方法，包括如下过程：

步骤A、将基片放置于磁控溅射设备的装载室，密封后进行抽真空；

步骤B、基片加热到205℃-215℃后运送至磁控溅射设备的溅射室，采用磁控溅射方式在基片的顶面进行第一次沉积，得到14-16纳米厚的第三ITO电极层，运送至冷却室冷却至室温；

步骤C、将沉积有第三ITO电极层的基片加热至215℃-225℃后运送至磁控溅射设备的溅射室，采用磁控溅射方式在第三ITO电极层的表面进行沉积，得到11-13纳米厚的第二ITO电极层，运送至冷却室冷却至室温；

步骤D、将沉积有第二ITO电极层的基片加热至225℃-235℃后运送至磁控溅射设备的溅射室，采用磁控溅射方式在第二ITO电极层的表面进行沉积，得到8-10纳米厚的第一ITO电极层，运送至冷却室冷却至室温；

步骤E、翻转所述沉积有第一ITO电极层的基片，将其加热至205℃-215℃后运送至磁控溅射设备的溅射室，采用磁控溅射方式在基片的顶面进行沉积，得到14-16纳米厚的第四ITO电极层，运送至冷却室冷却至室温；

步骤F、将沉积有第四ITO电极层的基片加热至215℃-225℃后运送至磁控溅射设备的溅射室，采用磁控溅射方式在第四ITO电极层的表面进行沉积，得到11-13纳米厚的第五ITO电极层，运送至冷却室冷却至室温；

步骤G、将沉积有第五ITO电极层的基片加热至225℃-235℃后运送至磁控溅射设备的溅射室，采用磁控溅射方式在第五ITO电极层的表面进行沉积，得到8-10纳米厚的第六ITO电极层，运送至冷却室冷却至室温；

步骤H、将步骤G中冷却后的基片运送至卸载室进行卸片。