[发明专利]一种触摸屏用双层ITO导电薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201610962342.0 | 申请日： | 2016-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN107863182A | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 温泉 | 申请（专利权）人： | 江苏日久光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B13/00;G06F3/044 |
| 代理公司： | 上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙)31297 | 代理人： | 周高 |
| 地址： | 215325 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 触摸屏 双层 ito 导电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种触摸屏用双层ITO导电薄膜，其特征在于：包括基片和分别沉积在基片两侧的上ITO电极层和下ITO电极层；所述上ITO电极层包括依次层叠设置且厚度依次增大的第一ITO电极层、第二ITO电极层和第三ITO电极层，第三ITO电极层沉积在所述的基片上；所述下ITO电极层包括依次层叠设置且厚度依次减小的第四ITO电极层、第五ITO电极层和第六ITO电极层，第四ITO电极层沉积在所述的基片上。
2.根据权利要求1所述的触摸屏用双层ITO导电薄膜，其特征在于：所述基片厚度为150-200微米，基片采用聚对苯二甲酸乙二醇脂树脂。
3.根据权利要求1或2所述的触摸屏用双层ITO导电薄膜，其特征在于：所述第一ITO电极层和第六ITO电极层外均设有绝缘的电极保护层。
4.根据权利要求3所述的触摸屏用双层ITO导电薄膜，其特征在于：所述第三ITO电极层和第四ITO电极层的厚度相同，为14-16纳米；所述第二ITO电极层和第五ITO电极层的厚度相同，为11-13纳米；所述第一ITO电极层和第六ITO电极层的厚度相同，为8-10纳米。
5.一种如权利要求4所述的触摸屏用双层ITO导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下过程：
步骤A、将基片放置于磁控溅射设备的装载室，密封后进行抽真空；
步骤B、基片加热到205℃-215℃后运送至磁控溅射设备的溅射室，采用磁控溅射方式在基片的顶面进行第一次沉积，得到14-16纳米厚的第三ITO电极层，运送至冷却室冷却至室温；
步骤C、将沉积有第三ITO电极层的基片加热至215℃-225℃后运送至磁控溅射设备的溅射室，采用磁控溅射方式在第三ITO电极层的表面进行沉积，得到11-13纳米厚的第二ITO电极层，运送至冷却室冷却至室温；
步骤D、将沉积有第二ITO电极层的基片加热至225℃-235℃后运送至磁控溅射设备的溅射室，采用磁控溅射方式在第二ITO电极层的表面进行沉积，得到8-10纳米厚的第一ITO电极层，运送至冷却室冷却至室温；
步骤E、翻转所述沉积有第一ITO电极层的基片，将其加热至205℃-215℃后运送至磁控溅射设备的溅射室，采用磁控溅射方式在基片的顶面进行沉积，得到14-16纳米厚的第四ITO电极层，运送至冷却室冷却至室温；
步骤F、将沉积有第四ITO电极层的基片加热至215℃-225℃后运送至磁控溅射设备的溅射室，采用磁控溅射方式在第四ITO电极层的表面进行沉积，得到11-13纳米厚的第五ITO电极层，运送至冷却室冷却至室温；
步骤G、将沉积有第五ITO电极层的基片加热至225℃-235℃后运送至磁控溅射设备的溅射室，采用磁控溅射方式在第五ITO电极层的表面进行沉积，得到8-10纳米厚的第六ITO电极层，运送至冷却室冷却至室温；
步骤H、将步骤G中冷却后的基片运送至卸载室进行卸片。
6.一种如权利要求5所述的触摸屏用双层ITO导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤B、C、D、E、F和G中，磁控溅射设备所用靶材由质量比为94：6的氧化铟和氧化锡组成。
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