[发明专利]微元件的转移装置、转移方法、制造方法、装置和电子设备

说明书

本发明公开了一种具有测试电路的微元件的转移装置、转移方法、制造方法、装置和电子设备，其在转移过程中可对微元件进行测试，排除缺陷微元件。所述具有测试电路的微元件转移装置，包括：基底衬底，具有相对的两个表面；拾取头阵列，形成于所述基底衬底的第一表面上，用于拾取或释放微元件；测试电路，设置于所述基底衬底的内部或/和表面，具有一系列子测试电路，每个子测试电路具有至少两个测试电极，在所述转移装置转移微元件过程中同时测试该微元件的光电参数。

技术领域

本发明涉及用于显示的微元件，更具体地，涉及一种用于微元件的转移装置、转移方法、制造方法、装置和电子设备。

背景技术

微元件技术是指在衬底上以高密度集成的微小尺寸的元件阵列。目前，微间距发光二极管（Micro LED）技术逐渐成为研究热门，工业界期待有高品质的微元件产品进入市场。高品质微间距发光二极管产品会对市场上已有的诸如LCD/OLED的传统显示产品产生深刻影响。

在制造微元件的过程中，首先在施体基板上形成微元件，接着将微元件转移到接收基板上。接收基板例如是显示屏。在制造微元件过程中的一个困难在于：如何将微元件从施体基板上转移到接收基板上。

传统转移微元件的方法为借由基板接合（Wafer Bonding）将微元件自转移基板转移至接收基板。转移方法的其中一种实施方法为直接转移，也就是直接将微元件阵列自转移基板接合至接收基板，之后再将转移基板移除。另一种实施方法为间接转移。此方法包含两次接合/ 剥离的步骤，首先，转移基板自施体基板提取微元件阵列，接着转移基板再将微元件阵列接合至接收基板，最后再把转移基板移除。其中，提取微元件阵列一般通过静电拾取的方式来执行。在静电拾取的过程中需要使用转移头阵列。

发明内容

本发明的目的是提出一种具有测试电路的微元件转移装置，其在转移过程中可同时对微元件进行测试，排除不合格的微元件。

本发明的技术方案为：一种微元件的转移装置，包括：基底衬底，具有相对的两个表面；拾取头阵列，形成于所述基底衬底的第一表面上，用于拾取或释放微元件；测试电路，设置于所述基底衬底的内部或/和表面上，具有一系列子测试电路，每个子测试电路具有至少两个测试电极，在所述转移装置转移微元件过程中同时测试该微元件的光电参数。

优选地，所述每个子测试电路的至少一个测试电极形成于所述拾取头之用于接触微元件的表面，在所述拾取头阵列接触微元件时连接微元件的电极。

优选地，所述测试电路还包括一可伸缩电极，其位于所述基底衬底的第一表面，与形成于所述拾取头之用于接触微元件的表面的测试电极构成子测试电路。如此可应用于电极位于不同侧的微元件，例如垂直型微型发光二极管。

优选地，所述转移装置还包括CMOS集成电路，其位于所述基底衬底的第二表面，与所述测试电路连接。

优选地，所述基底衬底具有通孔结构，所述测试电路贯穿所述通孔结构，延伸至基底衬底的第二表面。

优选地，所述基底衬底为硅基板，所述CMOS集成电路由所述Si基板的一部分形成。

优选地，所述CMOS集成电路为位于所述基底衬底之上的结构层。

优选地，所述拾取头阵列通过静电力、范德华力、真空吸附力拾取微元件。

优选地，所述拾取头具有一静力电极层和覆盖在该电极层上的介质层，向所述电极层施加吸附电压时，所述拾取头产生静电吸力，拾起与其接触的微元件拾起。

优选地，所述拾取头阵列的各个拾取头的表面设有仿生壁虎材料，藉由仿生壁虎材料的粘附能力吸附微元件。