[发明专利]微元件的转移装置、转移方法、制造方法、装置和电子设备

权利要求书

1.微元件的转移装置，包括：

基底衬底，具有相对的两个表面；

拾取头阵列，形成于所述基底衬底的第一表面上，各个拾取头被独立控制，用于拾取或释放微元件；

测试电路，设置于所述基底衬底的内部或/和表面上，具有一系列子测试电路，一个子测试电路对应一个拾取头，每个子测试电路具有至少两个测试电极，在所述转移装置转移微元件过程中同时测试该微元件的光电参数，获得微元件的缺陷图案。

2.根据权利要求1所述的微元件的转移装置，其特征在于：所述每个子测试电路的至少一个测试电极形成于所述拾取头之用于接触微元件的表面，在所述拾取头阵列接触微元件时连接微元件的电极。

3.根据权利要求2所述的微元件的转移装置，其特征在于：所述每个子测试电路分别具有一对测试电极。

4.根据权利要求2所述的微元件的转移装置，其特征在于：所述每个子测试电路共用一个测试电极。

5.根据权利要求2所述的微元件的转移装置，其特征在于：所述测试电路还包括一可伸缩电极，其位于所述基底衬底的第一表面，与形成于所述拾取头之用于接触微元件的表面的测试电极构成子测试电路。

6.根据权利要求1所述的微元件的转移装置，其特征在于：还包括CMOS集成电路，其位于所述基底衬底的第二表面，与所述测试电路连接。

7.根据权利要求6所述的微元件的转移装置，其特征在于：所述基底衬底具有通孔结构，所述测试电路贯穿所述通孔结构，延伸至所述基底衬底的第二表面。

8.根据权利要求6所述的微元件的转移装置，其特征在于：所述基底衬底为硅基板，所述CMOS集成电路由所述Si基板的一部分形成。

9.根据权利要求6所述的微元件的转移装置，其特征在于：所述CMOS集成电路为位于所述基底衬底之上的结构层。

10.根据权利要求1所述的微元件的转移装置，其特征在于：所述拾取头阵列通过静电力、范德华力或者真空吸附力拾起微元件。

11.根据权利要求1所述的微元件的转移装置，其特征在于：所述拾取头具有一静力电极层和覆盖在该电极层上的介质层，向所述电极层施加吸附电压时，所述拾取头产生静电吸力，拾起与其接触的微元件。

12.根据权利要求1所述的微元件的转移装置，其特征在于：所述拾取头阵列的各个拾取头的表面设有仿生壁虎材料，藉由仿生壁虎材料的粘附能力吸附微元件。

13.根据权利要求1所述的微元件的转移装置，其特征在于：所述拾取头阵列为一系列吸嘴阵列，使用真空压力吸附微元件或释放微元件。

14.根据权利要求13所述的微元件的转移装置，其特征在于：还包括一腔体、若干真空路径及开关组件，所述吸嘴阵列通过所述若干真空路径连通至该腔体，并在相通处分别设置可开/关的阀门，所述开关组件用于控制各真空路径的阀门的开或关，从而控制所述吸嘴使用真空压力吸附或释放所需的微元件。

15.根据权利要求14所述的微元件的转移装置，其特征在于： 所述开关组件包括CMOS集成电路及与所述CMOS集成电路连接的地址电极阵列，各个所述真空路径的阀门与所述地址电极阵列对应。

16.根据权利要求15所述的微元件的转移装置，其特征在于：所述阀门为一可动的构件，所述地址电极阵列由所述CMOS集成电路用电压电位选择性激励以产生致使相应的可动的构件朝向相应的地址电极偏斜或靠近的静电吸引力，以控制各真空路径的开或关。