[发明专利]过热检测电路、过热保护电路以及半导体装置

说明书

过热检测电路、过热保护电路以及半导体装置。提供能够简便地调整过热检测电路的检测温度的过热检测电路。作为解决手段，包括第1电阻、具有与第1电阻相同的温度特性并能够调整电阻值的第2电阻、以及与第2电阻的一端连接的热敏元件，基于第1电压的第1电流被提供给第1电阻，与第1电流成比例的电流被提供给第2电阻，由此，在第2电阻的另一端生成第2电压，比较第1电压与第2电压，输出其比较结果作为过热检测信号。

技术领域

本发明涉及过热检测电路、具有过热检测电路的过热保护电路以及具有过热保护电路的半导体装置。

背景技术

图6是示出现有的过热检测电路600的电路图。

现有的过热检测电路600如下构成。

恒流源608连接在电源端子60与二极管601的阳极之间，并输出恒流I0。

二极管601的阴极与调整电阻613的一端连接，调整电阻613的另一端与接地端子61连接。二极管601的阳极与P沟道晶体管611的栅极连接，P沟道晶体管611的源极与电源端子60连接，漏极与输出端子62连接。

在电源端子60与接地端子61之间串联连接了电阻609以及610。N沟道晶体管612的栅极连接在电阻609与电阻610的连接点，漏极与输出端子62连接，源极与接地端子61连接。

当温度上升时，P沟道晶体管611的阈值电压(Vth)的绝对值减小。另一方面，二极管601的阳极端子的电压减小。即，P沟道晶体管611的栅极端子-电源端子60间的电压差增大。

因此，当温度提高时，P沟道晶体管611的阈值电压(Vth)与P沟道晶体管611的栅极端子-电源端子60间的电压差反转，P沟道晶体管611导通，输出端子62的电压从接地端子61的电位反转为电源端子60的电位。

由此，现有的过热检测电路600根据输出端子62的电压的变化来检测过热状态(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第4920305号公报

发明内容

但是，在现有技术中，为了调整过热检测电路的检测温度，必须在考虑P沟道晶体管611的阈值电压、P沟道晶体管611的阈值电压的温度特性、恒流源608的输出电流I0的值、恒流源608的温度特性、以及调整电阻613的温度特性的基础上，对调整电阻613的电阻值进行调整。由于工艺偏差，晶体管的阈值、电阻值、恒流分别变动，因此，必须考虑全部偏差，调整非常困难。

本发明是为了解决以上那样的课题而完成的，实现了容易调整且检测精度好的过热检测电路。

本发明的过热检测电路的特征在于，包括第1电阻；第2电阻，其具有与所述第1电阻相同的温度特性，能够调整电阻值；以及热敏元件，其与所述第2电阻的一端连接，基于第1电压的第1电流被提供给所述第1电阻，与所述第1电流成比例的电流被提供给所述第2电阻，由此，在所述第2电阻的另一端生成第2电压，比较所述第1电压与所述第2电压，输出其比较结果作为过热检测信号。

发明效果

本发明的过热检测电路的第1电阻与第2电阻的温度特性相同，从而能够简便地对制造偏差进行调整。

附图说明

图1是示出第一实施方式的过热检测电路的电路图。

图2是示出第二实施方式的过热检测电路的第一例的电路图。

图3是示出第二实施方式的过热检测电路的第二例的电路图。

图4是示出第二实施方式的过热检测电路的第三例的电路图。