[发明专利]沟槽制备方法及半导体装置制备方法有效
| 申请号： | 201610959001.8 | 申请日： | 2016-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN108022831B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 易金凤;华强;周耀辉 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 制备 方法 半导体 装置 | ||
1.一种沟槽制备方法，包括
提供半导体器件；
在所述半导体器件上刻蚀形成沟槽结构；以及
控制所述半导体器件旋转并利用激光对所述沟槽结构的侧壁进行熔融处理以使所述沟槽结构的底角圆润且侧壁光滑。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述控制所述半导体器件旋转并利用激光对所述沟槽结构的侧壁进行熔融处理的步骤中，所述半导体器件旋转的转速小于1000转每分钟。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述控制所述半导体器件旋转并利用激光对所述沟槽结构的侧壁进行熔融处理的步骤中，利用激光对所述沟槽结构的侧壁进行熔融处理的时长为5～10秒。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述控制所述半导体器件旋转并利用激光对所述沟槽结构的侧壁进行熔融处理的步骤中，所述激光的波长为200纳米～460纳米；所述激光的脉冲能量密度在400兆焦每平方厘米～600兆焦每平方厘米。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述控制所述半导体器件旋转并利用激光对所述沟槽结构的侧壁进行熔融处理的步骤中，所述激光的入射角度为0度～45度；所述入射角度为所述激光与竖直方向上的夹角。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述控制所述半导体器件旋转并利用激光对所述沟槽结构的侧壁进行熔融处理的步骤之后，还包括对所述半导体器件进行晶相修复的步骤。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述对所述半导体器件进行晶相修复的步骤为，对所述半导体器件进行退火处理。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括对所述半导体器件进行清洗的步骤。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述控制所述半导体器件旋转并利用激光对所述沟槽结构的侧壁进行熔融处理的步骤之后，还包括步骤：
将所述半导体器件置于炉管内进行干氧氧化以在所述半导体器件表面形成牺牲氧化层；以及
将所述牺牲氧化层去除。
10.一种半导体装置制备方法，包括如权利要求1～9任一所述的沟槽制备方法。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
