[发明专利]沟槽制备方法及半导体装置制备方法有效

申请号：	201610959001.8	申请日：	2016-11-03
公开（公告）号：	CN108022831B	公开（公告）日：	2021-06-04
发明（设计）人：	易金凤;华强;周耀辉	申请（专利权）人：	无锡华润上华科技有限公司
主分类号：	H01L21/268	分类号：	H01L21/268
代理公司：	广州华进联合专利商标代理有限公司 44224	代理人：	吴平
地址：	214028 江苏省无***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	沟槽制备方法半导体装置
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【说明书】：

本发明涉及一种沟槽制备方法，包括提供半导体器件；在所述半导体器件上刻蚀形成沟槽结构；以及控制所述半导体器件旋转并利用激光对所述沟槽结构的侧壁进行熔融处理。上述沟槽制备方法，在传统的刻蚀形成沟槽结构的步骤后还增加了激光熔融处理步骤，激光熔融处理过程结合半导体器件的旋转从而最终制备得到底角圆润且侧壁光滑的沟槽，极大的改善半导体装置的漏电问题。本发明还提供一种半导体装置制备方法。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种沟槽制备方法及半导体装置制备方法。

背景技术

在超高压功率MOS管(Power MOS管)的制程中，沟槽结构(Trench)形貌对栅氧的特性有重要影响。Trench侧壁不光滑或者Trench底部圆角小可能导致器件漏电流变大，从而降低功率MOS管器件的可靠性。传统的沟槽制备方法制备得到的沟槽的底部圆角小导致尖角处放电严重，同时侧壁光滑度不够也对漏电产生了恶化作用。

发明内容

基于此，有必要提供一种能够制备得到底角圆润且侧壁光滑的沟槽的制备方法，还提供一种半导体装置制备方法。

一种沟槽制备方法，包括提供半导体器件；在所述半导体器件上刻蚀形成沟槽结构；以及控制所述半导体器件旋转并利用激光对所述沟槽结构的侧壁进行熔融处理。

上述沟槽制备方法，在传统的刻蚀形成沟槽结构的步骤后还增加了激光熔融处理步骤，激光熔融处理过程结合半导体器件的旋转从而最终制备得到底角圆润且侧壁光滑的沟槽，极大的改善半导体装置的漏电问题。

在其中一个实施例中，所述控制所述半导体器件旋转并利用激光对所述沟槽结构的侧壁进行熔融处理的步骤中，所述半导体器件旋转的转速小于1000转每分钟。

在其中一个实施例中，所述控制所述半导体器件旋转并利用激光对所述沟槽结构的侧壁进行熔融处理的步骤中，利用激光对所述沟槽结构的侧壁进行熔融处理的时长为5～10秒。

在其中一个实施例中，所述控制所述半导体器件旋转并利用激光对所述沟槽结构的侧壁进行熔融处理的步骤中，所述激光的波长为200纳米～460纳米；所述激光的脉冲能量密度在400兆焦每平方厘米～600兆焦每平方厘米。

在其中一个实施例中，所述控制所述半导体器件旋转并利用激光对所述沟槽结构的侧壁进行熔融处理的步骤中，所述激光的入射角度为0度～45度；所述入射角度为所述激光与竖直方向上的夹角。

在其中一个实施例中，所述控制所述半导体器件旋转并利用激光对所述沟槽结构的侧壁进行熔融处理的步骤之后，还包括对所述半导体器件进行晶相修复的步骤。

在其中一个实施例中，所述对所述半导体器件进行晶相修复的步骤为，对所述半导体器件进行退火处理。

在其中一个实施例中，还包括对所述半导体器件进行清洗的步骤。

在其中一个实施例中，所述控制所述半导体器件旋转并利用激光对所述沟槽结构的侧壁进行熔融处理的步骤之后，还包括步骤：将所述半导体器件置于炉管内进行干氧氧化以在所述半导体器件表面形成牺牲氧化层；以及将所述牺牲氧化层去除。