[发明专利]一种降低银粉比表面积的方法

说明书

本发明公开了一种降低银粉比表面积的方法，包括：干燥并研磨银粉，直至银粉分散均匀；将分散均匀的银粉置于保护气体中，在高于100℃、低于280℃的温度下保温至少3h，进行热处理；将热处理后的银粉清洗并干燥。根据本发明的降低银粉比表面积的方法，通过采用热处理的方式，降低了银粉比表面积，降低了银粉颗粒表面的粗糙度，还去除了附着在银粉颗粒表面的有机分子或其他杂质，提高了银粉纯度；同时在热处理的过程中，能够保证不明显改变银粉的粒径大小、粒径分布以及分散性等其他物化性质。根据本发明的降低银粉比表面积的方法，避免了现有技术中通过改变银粉制备过程中的工艺参数的方式来调控比表面积的方法所带来的容易改变其他物化性质的问题。

技术领域

本发明属于银粉加工技术领域，具体地讲，涉及一种降低银粉比表面积的方法。

背景技术

作为一种贵金属材料，银粉可以应用在工业生产的许多领域，特别是用作银浆。国内外对银粉的制备方法也有许多，如高能球磨法、喷雾热分解法、等离子体蒸发冷凝法、激光法、电化学法等，但以上方法均存在工艺复杂、耗能大、对设备要求高等问题；因此，液相还原法鉴于其具有生产成本低、工艺简单易操作等优点的方法而被作为一种优选的银粉制备方法。

银粉的各项性能对后续银粉的应用极为重要。目前，通过液相还原法制备银粉，使用如抗坏血酸等还原剂所制备出的银粉颗粒表面过于粗糙，而工业银浆用银粉对银粉颗粒表面有一定要求，需表面光滑、比表面积较低。若在液相反应体系或其他生产过程中调节实验参数以调控银粉颗粒表面形貌，势必会致使银粉颗粒其他诸如粒径、粒径分布、分散性等其他物化性能的变化，难以做到所有物化性能同步达到要求。

发明内容

为解决上述现有技术存在的问题，本发明提供了一种降低银粉比表面积的方法，该方法通过加热的方法直接处理银粉，在保证不改变银粉的其他物化性质的基础上，降低了银粉的比表面积及其表面的粗糙度。

为了达到上述发明目的，本发明采用了如下的技术方案：

一种降低银粉比表面积的方法，包括：干燥并研磨银粉，直至所述银粉分散均匀；将分散均匀的银粉置于保护气体中，在高于100℃、低于280℃的温度下保温至少3h，进行热处理；将热处理后的银粉清洗并干燥。

进一步地，所述热处理的温度为高于100℃、不超过250℃。

进一步地，所述热处理的时间为3h～5h。

进一步地，所述保护气体为惰性气体。

进一步地，对所述分散均匀的银粉进行热处理的方法为：将所述分散均匀的银粉置于坩埚中，并将所述坩埚置于电炉中进行热处理。

进一步地，干燥所述银粉的条件为：在50℃～70℃下干燥处理5h～7h。

进一步地，干燥所述银粉的条件为：在60℃下干燥处理6h。

进一步地，将所述热处理后的银粉清洗的条件为：将所述热处理后的银粉置于纯水中分散清洗。

进一步地，将经过清洗的所述热处理后的银粉干燥的条件为：将经过清洗的所述热处理后的银粉在50℃～70℃下干燥。

进一步地，将经过清洗的所述热处理后的银粉干燥的条件为：将经过清洗的所述热处理后的银粉在60℃下干燥。

本发明通过采用热处理的方式，降低了银粉比表面积，降低了银粉颗粒表面的粗糙度，还去除了附着在银粉颗粒表面的有机分子或其他杂质，提高了银粉纯度；同时在上述热处理的过程中，能够保证不明显改变银粉的粒径大小、粒径分布以及分散性等其他物化性质。根据本发明的降低银粉比表面积的方法，可以避免现有技术中通过改变银粉制备过程中的工艺参数的方式来调控比表面积的方法所带来的容易改变其他物化性质的问题。根据本发明的降低银粉比表面积的方法工艺简单、易于操作。

附图说明