[发明专利]显示面板的薄膜晶体管

权利要求书

1.一种显示面板的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：

一图案化光吸收层，设置于一透明基板上；

一图案化半导体层，设于所述图案化光吸收层上；

一图案化栅极绝缘层，设置于所述图案化半导体层上；

一栅极，设置于所述图案化栅极绝缘层上；

一源极，设置于所述图案化半导体层上并与所述图案化半导体层电连接；以及

一漏极，设置于所述图案化半导体层上并与所述图案化半导体层电连接。

2.根据权利要求1所述的显示面板的薄膜晶体管，其特征在于，所述图案化光吸收层的图案范围大于或等于所述图案化半导体层的图案范围。

3.根据权利要求1所述的显示面板的薄膜晶体管，其特征在于，所述图案化光吸收层为一非晶硅层。

4.根据权利要求1所述的显示面板的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管另包括一阻障层，设置于所述图案化光吸收层与所述图案化半导体层之间。

5.根据权利要求4所述的显示面板的薄膜晶体管，其特征在于，所述阻障层的材料包括硅氧化物与金属氧化物的其中之一。

6.根据权利要求1所述的显示面板的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管另包括一介电层，设置于所述栅极上。

7.根据权利要求6所述的显示面板的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极与所述漏极设置于所述介电层上，且所述源极与所述漏极分别经由所述介电层的一引线孔而与所述图案化半导体层电连接。

8.根据权利要求6所述的显示面板的薄膜晶体管，其特征在于，所述介电层的材料包括氮化硅。

9.根据权利要求1所述的显示面板的薄膜晶体管，其特征在于，所述透明基板为可挠式基板。

10.根据权利要求9所述的显示面板的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管另包括一缓冲层设于所述透明基板与所述图案化光吸收层之间。

11.根据权利要求10所述的显示面板的薄膜晶体管，其特征在于，所述透明基板的材料包括聚酰亚胺，且所述缓冲层的材料包括氮化硅或氧化硅。

12.根据权利要求1所述的显示面板的薄膜晶体管，其特征在于，所述图案化半导体层的材料包括金属氧化物半导体材料、非晶硅半导体或有机半导体材料。

13.一种显示面板的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一透明基板；

于所述透明基板上依序形成一光吸收层与一半导体层；

移除部分所述半导体层与部分所述光吸收层，以形成一图案化光吸收层与一图案化半导体层，其中所述图案化光吸收层的图案范围大于或等于所述图案化半导体层的图案范围；

于所述图案化半导体层上形成一图案化栅极绝缘层与一栅极，且所述图案化栅极绝缘层与所述栅极依序堆叠于所述图案化半导体层上；

于所述图案化半导体层之上形成一源极与一漏极，其中所述源极与所述漏极分别与所述图案化半导体层电连接。

14.根据权利要求13所述的显示面板的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述制作方法另包括在移除部分所述半导体层与所述光吸收层之前，利用一灰阶掩膜或一半色调掩膜进行一微影工艺，以在所述半导体层上形成一图案化光阻层，所述图案化光阻层具有一第一部分与一第二部分，其中所述第二部分设于所述第一部分的两侧，且所述第一部分的厚度大于所述第二部分的厚度。

15.根据权利要求14所述的显示面板的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，更包括一刻蚀工艺的步骤，包括：

移除未被所述图案化光阻层遮蔽的部分所述半导体层与部分所述光吸收层；

移除所述图案化光阻层的所述第二部分；以及

移除未被所述图案化光阻层的所述第一部分遮蔽的部分所述半导体层。

16.根据权利要求14所述的显示面板的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述图案化光吸收层的图案范围大于所述图案化半导体层的图案范围。

17.根据权利要求13所述的显示面板的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述图案化光吸收层为一非晶硅层。