[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法和显示面板有效
申请号: | 201610941853.4 | 申请日: | 2016-10-25 |
公开(公告)号: | CN106887468B | 公开(公告)日: | 2021-01-15 |
发明(设计)人: | 崔承镇 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 姜春咸;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法 显示 面板 | ||
本发明提供一种薄膜晶体管,包括栅电极、源电极和漏电极,所述栅电极、所述源电极和所述漏电极中的至少一者包括从上至下依次层叠的辅助电极层、第一防护电极层和主电极层,制成所述辅助电极层的材料的活泼性大于制成所述第一防护电极层的材料的活泼性。本发明还提供一种阵列基板、该阵列基板的制造方法和包括所述阵列基板的显示面板。在本发明中,光刻胶涂敷在辅助导电材料层上。由于形成辅助导电材料层的金属活泼性较高,因此,材料原子外层的电子非常容易失去,使得所述辅助导电材料层能够牢固地吸附光刻胶层。并且,在刻蚀的过程中,遮挡图形也不容易剥离,从而可以获得更加精确的导电图形,提高制造薄膜晶体管的良率。
技术领域
本发明涉及显示设备领域,具体地,涉及一种薄膜晶体管、包括该薄膜晶体管的阵列基板、该阵列基板的制造方法和包括所述阵列基板的显示面板。
背景技术
显示面板的阵列基板上包括位于不同层的多个导电图形层,例如,栅线图形层、源漏图形层等。为了确保导电图形具有良好的导电性能,通常利用电阻率低的材料制成所述导电图形层。由于电阻率较高的导电材料通常具有较高的活泼性,为了避免导电材料被氧化,还会在电阻率较低的导电材料上方沉积一层防护层。
具体地,制成导电图形层的步骤包括:沉积形成电阻率较低的金属材料层;沉积形成防护层;在防护层上设置光刻胶;对光刻胶进行曝光显影;刻蚀形成导电图形层;剥离光刻胶。
但是,防护层与光刻胶的粘结性能不好,在刻蚀过程中会产生剥离,从而会导致刻蚀星辰的导电图形层形状不准确,产生不良。
因此,如何防止刻蚀过程中光刻胶剥落成为本领域亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管、一种包括该薄膜晶体管的阵列基板、该阵列基板的制造方法和包括所述阵列基板的显示面板。在制造所述阵列基板的过程中,光刻胶不容易剥落,从而可以在阵列基板中获得形状精确的导电图形层,提高产品良率。
为了实现上述目的,作为本发明的一个方面,提供一种薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括栅电极、源电极和漏电极,其中,所述栅电极、所述源电极和所述漏电极中的至少一者包括从上至下依次层叠的辅助电极层、第一防护电极层和主电极层,制成所述辅助电极层的材料的活泼性大于制成所述第一防护电极层的材料的活泼性。
优选地,所述辅助电极层的材料与所述主电极层的材料相同。
优选地,所述第一防护电极层的材料包括钼铌合金,所述主电极层的材料包括铜。
优选地,所述薄膜晶体管包括氧化物半导体材料制成的有源层,包括所述辅助电极层、所述第一防护电极层和所述主电极层的电极图形为所述源电极和所述漏电极,所述源电极和所述漏电极位于所述有源层上方。
优选地,所述辅助电极层的厚度小于主电极层的厚度。
优选地,包括所述辅助电极层、所述第一防护电极层和所述主电极层的电极还包括第二防护电极层,所述第二防护电极层设置在所述主电极层下方。
作为本发明的第二个方面,提供一种阵列基板,所述阵列基板包括多个薄膜晶体管,其中,所述薄膜晶体管为本发明所提供的上述薄膜晶体管,所述阵列基板还包括多组电极线,多组电极线包括与所述栅电极同层设置的栅线和与所述源电极和所述漏电极同层设置的数据线,至少一组所述电极线包括从上至下依次层叠的辅助电极线层、第一防护电极线层和主电极线层,制成所述辅助电极线层的材料的活泼性大于制成所述第一防护电极线层的材料的活泼性,所述第一防护电极线层与同层设置的第一防护电极层材料相同,所述主电极线层与同层设置的主电极层材料相同。
作为本发明的第三个方面,提供一种显示面板,所述显示面板包括阵列基板,其中,所述阵列基板为本发明所提供的上述阵列基板。
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