[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法和显示面板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅电极、源电极和漏电极，其特征在于，所述栅电极、所述源电极和所述漏电极中的至少一者包括从上至下依次层叠的辅助电极层、第一防护电极层和主电极层，制成所述辅助电极层的材料的活泼性大于制成所述第一防护电极层的材料的活泼性；所述辅助电极层用于涂敷光刻胶层。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述辅助电极层的材料与所述主电极层的材料相同。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一防护电极层的材料包括钼铌合金，所述主电极层的材料包括铜。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括氧化物半导体材料制成的有源层，包括所述辅助电极层、所述第一防护电极层和所述主电极层的电极图形为所述源电极和所述漏电极，所述源电极和所述漏电极位于所述有源层上方。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述辅助电极层的厚度小于所述主电极层的厚度。

6.根据权利要求1至4中任意一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，包括所述辅助电极层、所述第一防护电极层和所述主电极层的电极还包括第二防护电极层，所述第二防护电极层设置在所述主电极层下方。

7.一种阵列基板，所述阵列基板包括多个薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管为权利要求1至6中任意一项所述的薄膜晶体管，所述阵列基板还包括多组电极线，多组电极线包括与所述栅电极同层设置的栅线和与所述源电极和所述漏电极同层设置的数据线，至少一组所述电极线包括从上至下依次层叠的辅助电极线层、第一防护电极线层和主电极线层，制成所述辅助电极线层的材料的活泼性大于制成所述第一防护电极线层的材料的活泼性，所述第一防护电极线层与同层设置的第一防护电极层材料相同，所述主电极线层与同层设置的主电极层材料相同；所述辅助电极层用于涂敷光刻胶层。

8.一种显示装置，所述显示装置包括阵列基板，其特征在于，所述阵列基板为权利要求7所述的阵列基板。

9.一种权利要求7所述的阵列基板的制造方法，所述阵列基板包括多条栅线和多条数据线，多条栅线和多条数据线相交错将所述阵列基板划分为多个像素单元，每个像素单元内均设置有薄膜晶体管，其特征在于，所述制造方法包括形成第一图形的步骤和形成第二图形的步骤，所述第一图形包括所述栅线和所述薄膜晶体管的栅电极，所述第二图形包括所述数据线和所述薄膜晶体管的源电极和漏电极的图形，形成所述第一图形和所述第二图形中的至少一者包括：

形成导电材料层，包括：依次形成主导电材料层、第一防护导电材料层和辅助导电材料层，其中，所述辅助导电材料层的材料的活泼性大于所述第一防护导电材料层的材料；

在所述辅助导电材料层上涂敷光刻胶层；

对光刻胶层进行曝光显影，以在所述辅助导电材料层的上表面上形成遮挡图形；

对形成有遮挡图形的导电材料层进行刻蚀。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述第二图形包括所述主导电图形层、防护导电图形层和辅助导电图形层，所述制造方法还包括在形成主导电材料层之前进行的：

形成有源材料层，所述有源材料层由氧化物半导体材料制成；

在光刻胶层进行曝光显影的步骤包括：

利用半色调掩膜板对所述光刻胶层进行曝光显影获得所述遮挡图形，所述遮挡图形包括中间遮挡图形，所述中间遮挡图形覆盖的区域与有源图形一致，且所述中间遮挡图形包括源极区、漏极区和位于所述源极区和所述漏极区之间的间隔区，所述间隔区的厚度小于所述源极区和所述漏极区的厚度；

对形成有遮挡图形的导电材料层进行刻蚀的步骤包括：

对所述导电材料层和所述有源材料层进行湿刻，以获得中间功能图形，所述中间功能图形包括有源层和覆盖在所述有源层上的中间导电图形；

对所述遮挡图形进行灰化，以刻蚀所述间隔区，并进一步刻蚀所述中间导电图形，使得中间导电图形在对应于所述间隔区的位置断开，以获得源电极和漏电极；

向工艺腔内通入一氧化二氮工艺气体，并对所述一氧化二氮工艺气体进行等离子化；

所述制造方法还包括：

在所述第二图形上形成钝化层；

在所述钝化层上形成过孔，所述过孔对应于所述漏电极，所述过孔贯穿所述钝化层和所述漏电极上由所述辅助导电材料形成的部分；

形成包括像素电极的图形。