[发明专利]压电薄膜传感器制备方法

权利要求书

1.一种压电薄膜传感器制备方法，其特征在于：

步骤A、在压电薄膜传感器的复合层制备过程中，在任意一层中制备定位标记；

步骤B、以定位标记为基准，在复合层上打定位孔；

步骤C、在套位模切时，模切模板具有定位组件，与定位孔一一对应，模切刀线将所述压电薄膜传感器的复合层半断和/或全断模切；

步骤D、接端子形成压电薄膜传感器元件。

2.根据权利要求1所述的压电薄膜传感器制备方法，其特征在于：其中，套位模切的模具包括上下两个模板，其中一个模板具有半断刀线，半断刀线的切割深度为需要切除压电薄膜传感器的复合层部分层数的厚度；压电薄膜传感器的复合层放置在两个模板之间，半断刀线只切断部分复合层。

3.根据权利要求2所述的压电薄膜传感器制备方法，其特征在于：其中，模板上还具有全断刀线，将压电薄膜传感器全部切断，在切断部分复合层的同时将卷对卷的复合层切成单个复合层。

4.根据权利要求2所述的压电薄膜传感器制备方法，其特征在于：其中，另一模板上也具有半断刀线，半断刀线的切割深度为需要切除压电薄膜传感器的复合层部分层数的厚度，切断另一侧的部分复合层。

5.根据权利要求2至4中任意一项所述的压电薄膜传感器制备方法，其特征在于：其中，一个模板具有定位柱，另一个模板具有定位槽；套位模切时，定位柱穿过压电薄膜传感器的复合层上的定位孔，再插入定位槽。

6.根据权利要求1所述的压电薄膜传感器制备方法，其特征在于：其中，在正电极层中，刻蚀或印刷出定位标记图案。

7.根据权利要求6所述的压电薄膜传感器制备方法，其特征在于：其中，正电极层一侧或两侧的介质层为透明材质，从一侧可以识别定位标记。

8.根据权利要求6所述的压电薄膜传感器制备方法，其特征在于：其中，正电极层一侧或两侧的上的复合层的宽幅小于正电极层的宽幅，卷对卷制备时，露出正电极层上的定位标记。

9.根据权利要求1所述的压电薄膜传感器制备方法，其特征在于：其中，压电薄膜传感器的复合层为依次设置的：绝缘介质层、接地层、压电薄膜层、正电极层和绝缘介质层。

10.根据权利要求1所述的压电薄膜传感器制备方法，其特征在于：其中，压电薄膜传感器的复合层为依次设置的：绝缘介质层、接地层、压电薄膜层、正电极层、绝缘介质层、接地层和绝缘介质层。

11.根据权利要求1所述的压电薄膜传感器制备方法，其特征在于：其中，压电薄膜传感器的复合层为依次设置的：绝缘介质层、接地层、压电薄膜层、正电极层、绝缘介质层、压电薄膜层、接地层和绝缘介质层。

12.根据权利要求9至11中任意一项所述的压电薄膜传感器制备方法，其特征在于：其中，压电薄膜层材质包含但不限于PVDF压电薄膜、P(VDF+TrFE)压电薄膜、PTFE压电驻极体薄膜、PP压电驻极体薄膜、PTFE-FEP压电驻极体薄膜、PZT压电驻极体薄膜、PZT-PVDF复合压电薄膜、ZnO压电薄膜、ZnO纳米发电机薄膜、COC压电驻极体薄膜、PFA压电驻极体薄膜、PEN压电驻极体薄膜、PCTFE压电驻极体薄膜、PET压电驻极体薄膜。