[发明专利]ICP刻蚀机台及其绝缘窗口薄膜加热器装置和温度控制方法有效
申请号: | 201610936885.5 | 申请日: | 2016-11-01 |
公开(公告)号: | CN108022852B | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | 左涛涛;吴狄 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 周乃鑫 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | icp 刻蚀 机台 及其 绝缘 窗口 薄膜 加热器 装置 温度 控制 方法 | ||
本发明公开一种绝缘窗口薄膜加热器装置,该装置包含:设置于绝缘窗口顶部的电绝缘板,设置于电绝缘板上的粘结层,设置在粘结层上的薄膜加热器;薄膜加热器通过粘结层与电绝缘板固定形成一个加热模块,加热模块通过电绝缘板固定于绝缘窗口顶部。本发明的薄膜加热器通过粘结层固定在电绝缘板上形成整体,通过电绝缘板与绝缘窗口固定连接,便于薄膜加热器的拆装,简易了薄膜加热器与绝缘窗口的维护过程,节省人力和时间成本。
技术领域
本发明涉及一种半导体制备中的加热技术,具体涉及一种ICP刻蚀机台及其绝缘窗口薄膜加热器装置和温度控制方法。
背景技术
如图1所示,电导耦合等离子体(Inductive Coupled Plasma,ICP)刻蚀机台的上部结构通常包含有:反应腔(chamber)170,设置于反应腔170顶部的反应腔顶盖(chamberlid)160,设置于反应腔顶盖160上的绝缘窗口(insulation window)150,设置于绝缘窗口150顶面的薄膜加热器(kapton heater)140,设置于薄膜加热器140上方的RF线圈(RF coilkit)130,设置在反应腔170顶部的外罩(housing)结构120,以及设置于外罩结构120顶部的若干冷却用风扇110,其中反应腔顶盖160、绝缘窗口150、薄膜加热器140、RF线圈130套设在外罩结构120内。其中薄膜加热器140直接粘接在绝缘窗口150上成为一体。
如图2所示,为一种薄膜加热器装置,薄膜加热器140设置于绝缘窗口150上,在薄膜加热器140与绝缘窗口150之间设有粘贴层141,薄膜加热器140粘贴在粘贴层141一面,粘贴层141的另一面粘贴在绝缘窗口150上,从而使薄膜加热器140直接与绝缘窗口150成为一体。
现有技术中,薄膜加热器140直接粘接于绝缘窗口150上,作为热良导体的绝缘窗口150会快速的将反应腔内部的等离子体(plasma)产生的热传递到上部被冷却用风扇110的风带走,在一定的温度控制下,需要薄膜加热器140提供更高的功率来弥补等离子体热量损失(plasma heat loss)来实现一定温度的控制。同时薄膜加热器140直接置于绝缘窗口150上,也使得绝缘窗口150的温度均匀性直接受薄膜加热器140影响,不可调也不可控,越是薄的绝缘窗口150,其温度均匀性受薄膜加热器140的影响越大。
机台长期进行刻蚀工艺,会有刻蚀工艺产生的附属生成物(process by-product)沉积到绝缘窗口150表面,因此绝缘窗口150需要定期清洗,清洗时由于薄膜加热器140属于电气元件,需要额外保护不能浸没,造成绝缘窗口150清洗工作额外的负担,另外还有薄膜加热器140由于清洗造成失效的风险。
将薄膜加热器140直接粘接在绝缘窗口150上的另一个潜在问题是,薄膜加热器140作为电器元件,有一定的使用寿命,但绝缘窗口150一般情况下不会坏,所以在薄膜加热器140损坏时,需要整个把绝缘窗口150连同薄膜加热器140一起拆出,再揭掉薄膜加热器140,工艺非常麻烦,过程可能会导致昂贵的绝缘窗口150损坏失效,同时拆装绝缘窗口150是个耗时耗力的工程,造成不必要的人工和时间成本浪费。
另外,薄膜加热器140采用高功率在升温时,薄膜加热器140的加热元件的电阻大,瞬间产生很多的热堆积在加热元件处,极易烧坏薄膜加热器140内部的粘胶,甚至瞬间产生的热会烧坏加热元件导致薄膜加热器140失效。
发明内容
本发明提供一种ICP刻蚀机台及其绝缘窗口薄膜加热器装置和温度控制方法,具有良好导热特性,薄膜加热器拆装便捷。
为实现上述目的,一种绝缘窗口薄膜加热器装置,其特点是,该装置包含:设置于绝缘窗口顶部的电绝缘板,设置于电绝缘板上的粘结层,设置在粘结层上的薄膜加热器;
上述薄膜加热器通过粘结层与电绝缘板固定形成一个加热模块,加热模块通过电绝缘板固定于绝缘窗口顶部。
上述电绝缘板的厚度范围取1至50毫米。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造