[发明专利]ICP刻蚀机台及其绝缘窗口薄膜加热器装置和温度控制方法有效
申请号: | 201610936885.5 | 申请日: | 2016-11-01 |
公开(公告)号: | CN108022852B | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | 左涛涛;吴狄 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 周乃鑫 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | icp 刻蚀 机台 及其 绝缘 窗口 薄膜 加热器 装置 温度 控制 方法 | ||
1.一种绝缘窗口薄膜加热器装置,其特征在于,该装置包含:设置于绝缘窗口顶部的电绝缘板,设置于电绝缘板上的粘结层,设置在粘结层上的薄膜加热器;
所述薄膜加热器通过粘结层与电绝缘板固定形成一个加热模块,加热模块通过电绝缘板固定于绝缘窗口顶部;
所述电绝缘板与绝缘窗口之间还设有导热垫片,所述导热垫片的热传导率低于绝缘窗口和电绝缘板。
2.如权利要求1所述的绝缘窗口薄膜加热器装置,其特征在于,所述电绝缘板的厚度范围取1至50毫米。
3.如权利要求1或2所述的绝缘窗口薄膜加热器装置,其特征在于,所述绝缘窗口薄膜加热器装置还包含一机械夹持装置,将所述加热模块固定到绝缘窗口。
4.如权利要求1或2所述的绝缘窗口薄膜加热器装置,其特征在于,所述电绝缘板中还包含一个电极,连接到一个高压直流电源,使得所述加热模块静电吸附到所述绝缘窗口上。
5.如权利要求1所述的绝缘窗口薄膜加热器装置,其特征在于,所述导热垫片由硅胶和/或陶瓷制成。
6.如权利要求1所述的绝缘窗口薄膜加热器装置,其特征在于,所述绝缘窗口薄膜加热器装置还包含电路连接薄膜加热器的温度控制模块,温度控制模块根据绝缘窗口的温度信息控制对薄膜加热器的输出功率。
7.一种如权利要求6所述的绝缘窗口薄膜加热器装置的温度控制方法,其特征在于,该温度控制方法包含:
温度控制模块接收绝缘窗口的温度信息,根据绝缘窗口的温度信息控制薄膜加热器的输出功率;
当绝缘窗口的温度下降,提高薄膜加热器的输出功率;
当绝缘窗口的温度上升,降低薄膜加热器的输出功率。
8.一种ICP刻蚀机台,其特征在于,该机台包含:
反应腔,用于进行等离子处理工艺;
反应腔顶盖,其设置于反应腔顶部;
外罩结构,其设置于反应腔顶部上方,反应腔顶盖与外罩结构之间形成容置空间;
冷却用风扇,其设置于外罩结构顶部;
绝缘窗口,其设置于反应腔顶盖上;
RF线圈,其设置于反应腔顶盖与外罩结构形成的容置空间内;
所述机台还包含如权利要求1至6中任意一项权利要求所述的绝缘窗口薄膜加热器装置,该窗口薄膜加热器装置设置于绝缘窗口上,位于反应腔顶盖与外罩结构形成的容置空间内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造