[发明专利]衬底处理装置有效
申请号: | 201610915856.0 | 申请日: | 2016-10-20 |
公开(公告)号: | CN106920761B | 公开(公告)日: | 2019-10-11 |
发明(设计)人: | 柳次英;诸成泰;崔圭鎭;具滋大;金濬;郑奉周;朴庆锡;金龙基;金哉佑 | 申请(专利权)人: | 株式会社EUGENE科技 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C23C16/52;C30B25/16;C30B33/12 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨文娟;臧建明 |
地址: | 韩国京畿道龙*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 处理 装置 | ||
本发明涉及一种衬底处理装置,且更具体而言,涉及一种能够改善衬底的整个表面上的工艺均匀性的衬底处理装置。所述衬底处理装置包括:衬底舟,衬底装载在所述衬底舟中;反应管,在所述反应管中对装载于所述衬底舟中的所述衬底执行处理工艺;气体供应单元,用以经由安置于所述反应管的一侧上的喷射喷嘴将工艺气体供应至所述反应管中;加热单元,包括多个垂直加热部件,所述多个垂直加热部件在所述反应管外部沿所述反应管的圆周安置且用以将所述反应管的圆周划分成多个部分,以对所述反应管的所划分的多个部分中的每一个进行独立加热;以及控制单元,用以控制所述加热单元。
技术领域
本发明涉及一种衬底处理装置,且更具体而言,涉及一种能够改善衬底的整个表面上的工艺均匀性的衬底处理装置。
背景技术
大体而言,衬底处理装置被分类成能够处理一个衬底的单晶片型处理装置及能够同时处理多个衬底的批次型衬底处理装置。这种单晶片型衬底处理装置具有简单的结构,但生产率低。因此,能够大量生产衬底的批次型衬底处理装置被广泛地使用。
衬底处理装置可在升高的温度下对一个或多个衬底执行衬底处理工艺。在其中分多个级装载多个衬底的批次型衬底处理装置中,需要对垂直堆叠的衬底进行均匀加热以使所述处理工艺在所有衬底上均匀地执行。由于加热单元对典型衬底处理装置中的反应管外部的整个区进行均匀加热,因此,由于上部部分及下部部分与环绕部分之间的温度差异而导致上部部分及下部部分中的每一个可具有比中间部分的温度低的温度。
为解决这种限制,正使用其中可将加热单元划分成多个级以单独地控制每一级的方法。
尽管上述方法能够解决衬底的不均匀性,然而可能难以改善所述衬底中的每一个的整个表面上的均匀性。为改善衬底的整个表面上的均匀性,控制加热单元的温度至关重要。然而,典型衬底处理装置使用其中加热单元对反应管的圆周进行均匀加热的方法。在这种方法中,由于工艺气体温度的影响,喷射喷嘴区中的温度可不同于其它区中的温度,从而造成处理工艺中的不均匀性。当反应管在其整个内部区中具有均匀的温度时,喷射喷嘴区中的气体分压可相对高,从而造成以下限制:衬底的靠近喷射喷嘴的一部分比衬底的其它部分受到更大程度的处理(例如,生长于衬底的靠近喷射喷嘴的部分上的层具有相对厚的厚度)。
[现有技术文献]
[专利文献]
韩国专利公开案第10-2014-0099210号
发明内容
本发明提供一种衬底处理装置,在所述衬底处理装置中多个垂直加热部件被独立地控制以改善衬底的整个表面上的工艺均匀性。
根据示例性实施例,一种衬底处理装置包括:衬底舟,衬底装载于所述衬底舟中;反应管,在所述反应管中对装载于所述衬底舟中的所述衬底执行处理工艺;气体供应单元,用以经由安置于所述反应管的一侧上的喷射喷嘴将工艺气体供应至所述反应管中;加热单元,包括多个垂直加热部件,所述多个垂直加热部件在所述反应管外部沿所述反应管的圆周安置且用以将所述反应管的所述圆周划分成多个部分,以对所述反应管的所划分的所述多个部分中的每一个进行独立加热;以及控制单元,用以控制所述加热单元。
多个垂直加热部件可包括:第一垂直加热部件,安置于与所述喷射喷嘴对应的位置;以及第二垂直加热部件,自所述第一垂直加热部件沿所述反应管的所述圆周延伸,且安置于所述反应管的所述圆周的至少一部分上。
第一垂直加热部件的水平横截面积可小于所述第二垂直加热部件的水平横截面积。
第一垂直加热部件的加热温度可对应于所述第二垂直加热部件的加热温度的90%至110%的范围。
控制单元可包括:第一控制部件,连接至所述第一垂直加热部件;以及第二控制部件,连接至所述第二垂直加热部件,其中所述第一垂直加热部件与所述第二垂直加热部件可被独立地控制。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造