[发明专利]衬底处理装置有效
申请号: | 201610915856.0 | 申请日: | 2016-10-20 |
公开(公告)号: | CN106920761B | 公开(公告)日: | 2019-10-11 |
发明(设计)人: | 柳次英;诸成泰;崔圭鎭;具滋大;金濬;郑奉周;朴庆锡;金龙基;金哉佑 | 申请(专利权)人: | 株式会社EUGENE科技 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C23C16/52;C30B25/16;C30B33/12 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨文娟;臧建明 |
地址: | 韩国京畿道龙*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 处理 装置 | ||
1.一种衬底处理装置,其特征在于,包括:
衬底舟,衬底装载于所述衬底舟中;
反应管,在所述反应管中对装载于所述衬底舟中的所述衬底执行处理工艺;
气体供应单元,用以经由安置于所述反应管的一侧上的喷射喷嘴将工艺气体供应至所述反应管中;
加热单元,包括多个垂直加热部件,所述多个垂直加热部件在所述反应管外部沿所述反应管的圆周安置且用以将所述反应管的所述圆周划分成多个部分,以对所述反应管的所划分的所述多个部分中的每一个进行独立加热;以及
控制单元,用以控制所述加热单元,
其中所述多个垂直加热部件包括:
第一垂直加热部件,安置于与所述喷射喷嘴对应的位置;以及
第二垂直加热部件,自所述第一垂直加热部件的一侧沿所述反应管的所述圆周延伸至所述第一垂直加热部件的另一侧,
其中所述多个垂直加热部件各自对在所述反应管的内部空间中的所述喷射喷嘴对应的区以及具有相同高度的其它区进行独立加热,且
其中所述控制单元用以控制所述喷射喷嘴对应的所述区,所述喷射喷嘴对应的所述区具有大于具有相同高度的所述其它区的气体分压,以具有低于具有相同高度的所述其它区的温度。
2.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其特征在于,所述第一垂直加热部件的水平横截面积小于所述第二垂直加热部件的水平横截面积。
3.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其特征在于,所述第一垂直加热部件的加热温度对应于所述第二垂直加热部件的加热温度的90%至110%的范围。
4.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其特征在于,所述控制单元包括:
第一控制部件,连接至所述第一垂直加热部件;以及
第二控制部件,连接至所述第二垂直加热部件,
其中所述第一垂直加热部件与所述第二垂直加热部件被独立地控制。
5.根据权利要求4所述的衬底处理装置,其特征在于,所述第一控制部件包括用以测量所述第一垂直加热部件的温度的第一温度测量构件,且
所述第二控制部件包括用以测量所述第二垂直加热部件的温度的第二温度测量构件以及用以测量所述反应管的内部温度的第三温度测量构件。
6.根据权利要求5所述的衬底处理装置,其特征在于,所述第一控制部件利用所述第一温度测量构件的测量值来控制所述第一垂直加热部件,且
所述第二控制部件利用通过所述第二温度测量构件的测量值及所述第三温度测量构件的测量值而计算出的值来控制所述第二垂直加热部件。
7.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其特征在于,所述多个垂直加热部件是通过堆叠多个被独立控制的水平加热元件而形成。
8.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其特征在于,进一步包括用以旋转所述衬底舟的旋转驱动单元。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造