[发明专利]薄膜晶体管基板

说明书

公开了一种薄膜晶体管基板。该薄膜晶体管基板包括：第一薄膜晶体管，其包括多晶半导体层、与多晶半导体层交叠的第一栅极、在第一栅极上的氮化物层、在氮化物层上的氧化物层以及在所述氧化物层上的第一源极和第一漏极；以及第二薄膜晶体管，其包括设置在与第一栅极相同的层上的第二栅极、在第二栅极和氮化物层之间的氢收集层、在氧化物层上的氧化物半导体层、与氧化物半导体层的一侧接触的第二源极以及与氧化物半导体层的另一侧接触的第二漏极。

技术领域

本公开涉及一种不同类型的薄膜晶体管被设置在同一基板上的薄膜晶体管基板。

背景技术

随着信息社会的发展，对显示图像的显示装置的需求以各种方式不断增加。在显示装置领域，大尺寸的阴极射线管(CRT)已迅速地被平板显示器(FPD)取代，FPD具有外形薄、重量轻和屏幕大的优点。平板显示器的示例包括液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)、有机发光二极管(OLED)显示器和电泳显示器(EPD)。

以有源方式驱动的液晶显示器、OLED显示器和电泳显示器中的每一个包括薄膜晶体管基板，在该薄膜晶体管基板上设置有指派给成矩阵布置的像素区域的薄膜晶体管。液晶显示器通过利用电场控制液晶的光透射率来显示图像。OLED显示器通过在成矩阵布置的各个像素中形成有机发光元件来显示图像。

OLED显示器包括能够自己发射光的自发射元件并且具有快速响应时间、高发射效率、高亮度和宽视角的优点。利用具有良好能效的OLED的特性的OLED显示器被分成无源矩阵有机发光二极管(PMOLED)显示器和有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示器。

随着积极进行个人电子装置的开发，显示装置已发展成便携性和/或可穿戴性优异的产品。对于便携式和/或可穿戴显示装置，显示装置需要实现低功耗。与迄今为止开发的显示装置有关的技术在实现低功耗方面有局限。

发明内容

因此，本公开涉及一种薄膜晶体管基板以及包括该薄膜晶体管基板的显示装置，其基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或更多个问题。

本公开提供了一种包括在同一基板上的两种或更多种类型的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板以及包括该薄膜晶体管基板的显示装置。

本公开还提供了一种包括薄膜晶体管的薄膜晶体管基板，其通过最小化或防止氢流入氧化物半导体层中而具有改进的特性。

在一个方面，提供了一种薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板包括：第一薄膜晶体管，其包括多晶半导体层、与多晶半导体层交叠的第一栅极、在第一栅极上的氮化物层、在氮化物层上的氧化物层以及在氧化物层上的第一源极和第一漏极；以及第二薄膜晶体管，其包括设置在与第一栅极相同的层上的第二栅极、在第二栅极和氮化物层之间的氢收集层、在氧化物层上的氧化物半导体层、与氧化物半导体层的一侧接触的第二源极以及与氧化物半导体层的另一侧接触的第二漏极，其中，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管被设置在同一基板上，并且其中，氮化物层包括使第二薄膜晶体管的氢收集层暴露的开口。

在一个方面，提供了一种薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板包括：第一薄膜晶体管，其包括多晶半导体层、与多晶半导体层交叠的第一栅极、在第一栅极上的氮化物层、在氮化物层上的氧化物层以及在氧化物层上的第一源极和第一漏极；以及第二薄膜晶体管，其包括设置在与第一栅极相同的层上的第二栅极、在第二栅极上的氮化物层、在氮化物层上的氧化物层、在氧化物层上的氧化物半导体层、与氧化物半导体层的一侧接触的第二源极以及与氧化物半导体层的另一侧接触的第二漏极，其中，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管被设置在同一基板上。