[发明专利]薄膜晶体管基板有效
申请号: | 201610907726.2 | 申请日: | 2016-10-19 |
公开(公告)号: | CN107039460B | 公开(公告)日: | 2020-07-31 |
发明(设计)人: | 金元炅;卢韶颖;申铉秀;文庆周 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 | ||
1.一种薄膜晶体管基板,该薄膜晶体管基板包括:
第一薄膜晶体管,该第一薄膜晶体管包括多晶半导体层、与所述多晶半导体层交叠的第一栅极、在所述第一栅极上的氮化物层、在所述氮化物层上的氧化物层以及在所述氧化物层上的第一源极和第一漏极;以及
第二薄膜晶体管,该第二薄膜晶体管包括设置在与所述第一栅极相同的层上的第二栅极、在所述第二栅极和所述氮化物层之间的氢收集层、在所述氧化物层上的氧化物半导体层、与所述氧化物半导体层的一侧接触的第二源极以及与所述氧化物半导体层的另一侧接触的第二漏极,
其中,所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管被设置在同一基板上,并且
其中,所述氮化物层包括使所述第二薄膜晶体管的所述氢收集层暴露的开口。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板,其中,所述氧化物半导体层与所述氮化物层的所述开口交叠。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板,其中,所述氧化物半导体层与所述氢收集层交叠,并且仅所述氧化物层被夹在所述氧化物半导体层与所述氢收集层之间。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板,其中,所述氢收集层包括铟镓锌氧化物IGZO、铟锡氧化物ITO、铟锌氧化物IZO和铟锡锌氧化物ITZO中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板,其中,所述氢收集层包括这样的材料,该材料使得在形成所述第二栅极的材料与所述氢收集层的该材料之间存在蚀刻率方面的差异。
6.一种制造薄膜晶体管基板的方法,该方法包括以下步骤:
在基板上形成第一薄膜晶体管的多晶半导体层;
在所述基板上形成第一栅极绝缘层;
形成所述第一薄膜晶体管的第一栅极,并且形成第二薄膜晶体管的第二栅极以及设置在所述第二栅极上的氢收集层;
在所述第一栅极和所述氢收集层上形成氮化物层;
通过对所述氮化物层进行构图来形成使所述氢收集层暴露的开口;
在所述氮化物层上形成氧化物层;
在所述氧化物层上形成所述第二薄膜晶体管的氧化物半导体层;以及
在所述氧化物层上形成所述第一薄膜晶体管的第一源极和第一漏极以及所述第二薄膜晶体管的第二源极和第二漏极。
7.根据权利要求6所述的制造薄膜晶体管基板的方法,其中,所述氧化物半导体层与所述氮化物层的所述开口交叠。
8.根据权利要求6所述的制造薄膜晶体管基板的方法,其中,所述氧化物半导体层与所述氢收集层交叠,并且仅所述氧化物层被夹在所述氧化物半导体层与所述氢收集层之间。
9.根据权利要求6所述的制造薄膜晶体管基板的方法,其中,所述氢收集层包括铟镓锌氧化物IGZO、铟锡氧化物ITO、铟锌氧化物IZO和铟锡锌氧化物ITZO中的至少一种。
10.根据权利要求6所述的制造薄膜晶体管基板的方法,其中,所述氢收集层包括这样的材料,该材料使得在形成所述第二栅极的材料与所述氢收集层的该材料之间存在蚀刻率方面的差异。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的