[发明专利]封装结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明实施例是有关于一种封装结构及其制造方法。

背景技术

通常可以在整片半导体芯片上制造半导体组件和集成电路。在芯片层级工艺中，针对芯片中的芯片进行加工处理，并且可以将芯片与其他的半导体组件一起封装。目前各方正努力开发适用于芯片级封装的不同技术。

发明内容

本发明实施例提供封装结构，能有效地改善半导体封装结构电性性能。

根据本发明实施例，封装结构包括至少一第一芯片、至少一第二芯片、封装模塑体、第一布线层、至少一第一贯穿介层孔、第二贯穿介层孔、电磁干扰屏蔽层及导电部件。第一芯片被包覆在封装模塑体内。第二芯片设置在封装模塑体上。第一布线层设置在封装模塑体上并电性连接至第一芯片以及第二芯片，其中封装模塑体位于第二芯片和第一布线层之间。第一贯穿介层孔被包覆在封装模塑体内并电性连接至第一布线层。第二贯穿介层孔被包覆在封装模塑体内并电性连接至第一布线层，且第二贯穿介层孔位于第一芯片和第一贯穿介层孔之间。电磁干扰屏蔽层设置在第二芯片上并与第一贯穿介层孔接触。导电部件连接第一布线层，其中第一布线层位于导电部件和封装模塑体之间。

根据本发明实施例，封装结构包括第一芯片、封装模塑体、第一布线层、至少一贯穿孔、第二芯片、封装材料、电磁干扰屏蔽层及导电部件。第一芯片被包覆在封装模塑体内。第一布线层设置在封装模塑体上并电性连接至第一芯片。贯穿孔被包覆在封装模塑体内并电性连接至第一布线层。第二芯片设置在封装模塑体上并电性连接至第一布线层，其中封装模塑体位于第二芯片和第一布线层之间。封装材料设置在封装模塑体上并且位于第二芯片和封装模塑体之间，其中封装材料具有暴露出贯穿孔的至少一接触窗。电磁干扰屏蔽层设置在第二芯片上并通过接触窗与贯穿孔接触。导电部件连接第一布线层，其中第一布线层位于导电部件和封装模塑体之间。

根据本发明实施例，封装结构的制造方法包括设置第一芯片于载体上。形成至少一第一贯穿介层孔于载体上。密封第一芯片以及第一贯穿介层孔于封装模塑体内。形成第一布线层于封装模塑体上，其中第一布线层电性连结至第一芯片以及第一贯穿介层孔。设置导电部件于第一布线层上，其中第一布线层位于封装模塑体和导电部件之间。从第一芯片以及第一贯穿介层孔移除载体。设置第二芯片于封装模塑体上，其中第二芯片电性连结至第一布线层，且封装模塑体位于第二芯片和第一布线层之间。设置封装材料于第二芯片以及封装模塑体上。对封装材料进行激光钻孔，以形成暴露出贯穿孔的至少一接触窗。形成电磁干扰屏蔽层于第二芯片上，其中电磁干扰屏蔽层通过接触窗与第一贯穿介层孔接触。

为让本发明的上述揭露特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1到图12为依据一些本发明实施例的封装结构的制造方法的各种阶段所形成之封装结构之剖面示意图。

图13到图17为依据一些本发明实施例的封装结构的局部放大的俯视示意图，以说明第一贯穿介层孔的各种设置态样。

附图标号说明

10：(半导体)封装结构、封装结构；

112：载体；

114：脱黏层；

116：图案化介电层；

116a：开口；

121：第一贯穿介层孔；

122：第二贯穿介层孔；

130：第一芯片；

130a：有源面；

130b：接垫；

130c：钝化层；

130d：导电柱；

130e：保护层；

140：封装模塑体；

150：第一布线层；

152：聚合物介电层；

154：金属层；

160：导电部件；

180：第二芯片；

190：连接结构；

200：封装材料；

202：接触窗；

210：电磁干扰屏蔽层；

AK：校准标记；

CL：切割线；

DA：芯片附着膜；

SE：密封结构。

具体实施方式