[发明专利]一种柔性基板制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种柔性基板制造方法。

背景技术

PI(聚酰亚胺，Polyimide)是分子主链中含有酰亚胺基团的芳杂环高分子化合物，是一种性能优良的特种工程塑料，也是迄今为止耐热等级最高的高分子材料，其耐高温达400℃以上，长期使用温度范围-200～300℃，无明显熔点，可广泛应用于航空航天、机械、电子等高科技领域。由于PI的耐热性能优良，且具有良好的柔韧性和电绝缘性等，因此，作为功能材料，PI在微电子工业中，尤其在大规模和超大规模集成电路中得到了大量的应用。此外，由于PI的线膨胀系数与铜相近，与铜箔复合的粘接力强，可用作柔性印刷电路的基板。

目前，PI膜层的制备方法以涂布法为主，制备出的PI膜层含有一定量的杂质异物，表面的异物会形成颗粒，在PI膜层的涂布和后续烘烤以及清洗工艺等制程中，这些颗粒可能会被带走，也可能残留下来，容易在柔性基板的表面形成凸起或凹坑，如图1所示。这些凸起或凹坑会影响到柔性基板上后续膜层的沉积效果，甚至造成膜层脱落，使得电子器件显示不良。

发明内容

本发明提供一种柔性基板制造方法，用于改善柔性基板表面的凸起和凹陷，增加柔性基板表面平整度。

本发明提供的柔性基板制造方法，包括：

在玻璃基板上涂布柔性基板，所述柔性基板具有第一厚度；

在所述柔性基板上涂布平坦化材料；

刻蚀所述平坦化材料和部分所述柔性基板，以使刻蚀后的所述柔性基板具有第二厚度，其中所述第二厚度小于所述第一厚度。

可选的，所述刻蚀所述平坦化材料和所述柔性基板，包括：

利用氧等离子刻蚀方法刻蚀所述平坦化材料和所述柔性基板，所述平坦化材料的刻蚀率与所述柔性基板的刻蚀率之间的差值小于阈值。

可选的，所述在玻璃基板上涂布第一厚度的柔性基板之后，所述在所述柔性基板上涂布平坦化材料之前，还包括：

清洗所述柔性基板的表面。

可选的，所述平坦化材料的坚膜温度大于200℃。

可选的，所述平坦化材料为硅氧烷材料。

可选的，所述平坦化材料的坚膜温度小于或等于200℃；

所述刻蚀所述平坦化材料和所述柔性基板之后，还包括：

去除所述柔性基板上的平坦化材料。

可选的，所述平坦化材料为光阻材料。

可选的，所述柔性基板的材料为聚酰亚胺树脂。

可选的，所述第一厚度与所述设定的柔性基板的使用厚度的差值小于或等于2μm。

可选的，所述平坦化材料的厚度小于或等于5μm。

本发明实施例提供的柔性基板制造方法，在玻璃基板上涂布了第一厚度的柔性基板，第一厚度大于设定的柔性基板的使用厚度。也就是说，在涂布柔性基板至使用厚度的基础上，再增加一定厚度的柔性基板。在加厚的柔性基板上续涂布一层平坦化材料。这里的平坦化材料可以填补柔性基板表面的凹陷，降低柔性基板表面凸起的颗粒粒径。在此基础上刻蚀涂布的平坦化材料和一部分的柔性基板，直至刻蚀后柔性基板的厚度为第二厚度，即为设定的柔性基板的使用厚度。由于第二厚度小于第一厚度，故柔性基板在使用厚度的基础上增加的厚度为刻蚀过程中的牺牲层，在刻蚀的过程中，柔性基板表面的凸起跟随平台化材料和柔性基板的牺牲层均被刻蚀掉，同时，随着柔性基板牺牲层的刻蚀，柔性基板表面凹陷的深度也随着柔性基板的刻蚀而减小。因此本发明实施例可以改善柔性基板表面的凸起和凹陷，得到表面平整度得到改善的柔性基板。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中柔性基板表面的示意图；

图2为本发明实施例提供的一种柔性基板制造方法的流程图；

图3a至图3c为本发明实施例提供的一种柔性基板制造方法各步骤的示意图；

图4a至图4d为本发明实施例提供的另一种柔性基板制造方法各步骤的示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部份实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。