[发明专利]半导体结构及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201610876700.6 申请日: 2016-09-30
公开(公告)号: CN107887272B 公开(公告)日: 2021-05-04
发明(设计)人: 周飞 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336;H01L29/78;H01L21/762;H01L29/06
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 徐文欣;吴敏
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 半导体 结构 及其 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体结构的形成方法,其特征在于,包括:

形成衬底,所述衬底包括器件区、隔离区以及位于所述器件区和隔离区之间的过渡区,所述过渡区包括伪栅区、以及位于所述伪栅区两侧的伪源漏区,所述伪栅区的两端分别与所述器件区和隔离区接触,所述器件区上具有鳍部,所述伪栅区上具有伪鳍部;

在形成所述鳍部和伪鳍部之后,在所述器件区、隔离区和过渡区上形成隔离结构,所述隔离结构覆盖所述鳍部和伪鳍部部分侧壁;

形成所述隔离结构之后,在所述器件区上的鳍部上形成半导体器件,所述半导体器件包括:横跨所述器件区鳍部的栅极结构,所述栅极结构位于所述器件区鳍部部分侧壁和顶部表面;位于所述器件区栅极结构两侧鳍部内的源漏掺杂区。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,形成所述衬底、鳍部和伪鳍部的步骤包括:

提供初始衬底;

在所述初始衬底上形成图形层,所述图形层暴露出与所述隔离区对应的初始衬底和与所述伪源漏区对应的初始衬底,且所述图形层还暴露出部分与器件区对应和部分与伪栅区对应的初始衬底;

以所述图形层为掩膜对所述初始衬底进行图形化,形成衬底、位于所述器件区上的鳍部以及位于所述伪栅区上的伪鳍部。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,形成所述隔离结构的步骤包括:

在所述器件区、隔离区和过渡区上形成隔离材料层,所述隔离材料层覆盖所述鳍部和伪鳍部的侧壁,且所述隔离材料层表面高于所述鳍部和伪鳍部顶部表面;

对所述隔离材料层进行刻蚀,使所述隔离材料层表面低于所述器件区上的鳍部顶部表面,形成所述隔离结构。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,形成所述衬底、鳍部和伪鳍部的步骤包括:

形成基底,所述基底包括衬底和位于所述器件区衬底上的鳍部,以及位于所述过渡区和隔离区衬底上的初始鳍部;

去除所述隔离区和伪源漏区衬底上的初始鳍部,保留所述伪栅区衬底上的初始鳍部,形成伪鳍部。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,还包括:形成所述初始鳍部之后,在所述伪栅区和器件区上形成初始第二隔离层,所述初始第二隔离层覆盖所述鳍部和伪鳍部侧壁表面;

形成所述初始第二隔离层,以及去除所述隔离区和伪源漏区上的初始鳍部的步骤包括:

在所述器件区、隔离区和过渡区上形成隔离材料层,所述隔离材料层覆盖所述鳍部和初始鳍部的侧壁,且所述隔离材料层表面高于所述鳍部和伪鳍部顶部表面;

去除隔离区上的初始鳍部和隔离材料层,在隔离区形成第一凹槽;

去除所述伪源漏区上的初始鳍部和隔离材料层,在伪源漏区形成第二凹槽,并在伪栅区上形成伪鳍部,在伪栅区和器件区上形成覆盖所述鳍部和伪鳍部表面的初始第二隔离层。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,在所述器件区、隔离区和过渡区衬底上形成隔离结构的步骤包括:

在所述第一凹槽和第二凹槽中形成初始第一隔离层;

对所述初始第一隔离层和所述初始第二隔离层进行刻蚀,使所述初始第二隔离层表面低于所述鳍部顶部表面,形成第一隔离层和第二隔离层,所述第一隔离层和第二隔离层构成所述隔离结构。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述第一隔离层与第二隔离层的材料相同;所述第一隔离层和所述第一隔离层的材料为氧化硅或氮氧化硅。

8.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,去除所述伪源漏区和隔离区初始鳍部的工艺包括:干法刻蚀或湿法刻蚀。

9.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,形成基底的步骤包括:

提供初始衬底;

对所述初始衬底进行图形化,形成衬底,位于所述器件区衬底上的鳍部,以及位于所述过渡区和隔离区衬底上的初始鳍部。

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