[发明专利]存储器和包括其的电子装置

说明书

一种半导体存储器可以包括：单元阵列，所述单元阵列包括以多个列和多个行布置的多个阻变存储单元；读取电压施加电路，所述读取电压施加电路被配置成施加读取电压至所述多个阻变存储单元中的选中存储单元；感测电路，所述感测电路被配置成检测流经所述选中存储单元的电流量并且感测数据；以及过电流防止单元，所述过电流防止单元被配置成当过电流流经所述选中存储单元时，降低在所述选中存储单元的两个端部处的电压电平的差值。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2015年12月1日提交的申请号为10-2015-0169808的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明的实施例涉及一种存储器电路或者器件及其在电子装置中的应用。

背景技术

近来，已经积极地进行了对于代替DRAM和快闪存储器的下一代存储器件的研究。这种下一代存储器中的一种为阻变存储器件，其利用能够根据施加的偏置，经由在其电阻的快速变化而在彼此不同的至少两个电阻状态切换的材料，即，可变电阻材料，并且其代表性示例可以包括：RRAM(阻变随机存取存储器)、PCRAM(相变随机存取存储器)、MRAM(磁性随机存取存储器)、FRAM(铁电随机存取存储器)等等。

具体地，阻变存储器件组成具有交叉点阵列结构的存储单元阵列。在交叉点阵列结构中，多个下电极(例如，多个行线(字线))和多个上电极(例如，多个列线(位线))形成为彼此交叉，并且已经将可变电阻元件和选择元件彼此串联耦接的存储单元布置在每个交叉点处。

发明内容

各种实施例涉及提供用于稳定地读取或者写入阻变存储器的数据的技术。

在一个实施例中，一种电子装置包括半导体存储器，并且所述半导体存储器可以包括：单元阵列，所述单元阵列包括多个阻变存储单元，其中布置有多个列和多个行；读取电压施加电路，所述读取电压施加电路被配置成施加读取电压至所述多个阻变存储单元中的选中存储单元；感测电路，所述感测电路被配置成检测流经所述选中存储单元的电流量并且感测数据；以及过电流防止单元，所述过电流防止单元被配置成当过电流流经所述选中存储单元时，降低在所述选中存储单元的两个端部处的电压电平。

以上方法的实施方式可以包括如下中的一种或多种。

在通过所述感测电路来感测所述选中存储单元的低电阻状态之后，所述过电流防止单元可以将流经所述选中存储单元的电流确定为过电流。

所述读取电压施加电路可以将所述读取电压施加至所述选中存储单元的位线，并且所述感测电路包括：感测节点，所述感测节点电连接至所述选中存储单元的字线；电流吸收单元，所述电流吸收单元被配置成吸收来自所述感测节点的读取参考电流；以及感测单元，所述感测单元被配置成响应于所述感测节点的电压电平来感测数据。

所述过电流防止单元可以响应于所述感测单元的数据感测结果来上拉驱动所述感测节点。

在读取操作中激活所述电流吸收单元和所述感测单元之后，所述过电流防止单元可以被激活，并且所述读取电压施加电路的激活的开始时间点可以是在从所述电流吸收单元和所述感测单元的激活时间点开始至所述过电流防止单元的激活时间点的范围内。

所述多个阻变存储单元中的每一个包括：可变电阻元件，所述可变电阻元件根据所存储的数据的逻辑值而具有高电阻状态或者低电阻状态；以及选择元件，所述选择元件串联耦接至所述可变电阻元件。