[发明专利]一种光刻胶的涂胶工艺

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造工艺技术领域，尤其涉及一种光刻胶的涂胶工艺。

背景技术

光刻胶主要是由树脂(Resin)、感光剂(Sensitizer)以及溶剂(Solvent)等不同的材料混合而成。其中，树脂是粘合剂(Binder)，感光剂是一种光活性(Photoactivity)极强的化合物，它在光刻胶内的含量与树脂相当，以液态形式保存，以便于使用。负光刻胶在遇光之后会产生链接(Cross Lingking)，使其结构加强而不溶于显影剂。正光刻胶本身难溶于显影剂，但遇光之后会分解成一种易溶于显影剂的结构。

传统的光刻胶的涂胶过程为：先将喷嘴移动至晶圆正中心上方，在晶圆静止时喷胶或高速旋转时喷胶，然后进一步高速旋转甩匀。然而，通过这种方式涂出的胶膜厚受环境温湿度及喷头位置影响很大。另外，现有技术中使用的老式的涂胶机，如SVG88，其涂胶腔体为敞开式的，无温湿度控制系统及顶部整流罩，且喷胶管较粗，无法喷出柱状液，喷嘴不能保证每次喷胶时都保持在晶圆正中心上方，同一直径方向膜厚呈W状分布。由于设备的局限，膜厚均匀性较差。

发明内容

本发明的目的在于提出一种光刻胶的涂胶工艺，能够极大地改善光刻胶在晶圆上涂胶的均匀性。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

一种光刻胶的涂胶工艺，所述光刻胶涂布于晶圆的表面上，所述晶圆置于离心机的真空吸盘上，所述晶圆的上方设置有光刻胶喷嘴，所述涂胶工艺包括如下步骤：

S101、所述光刻胶喷嘴移动至所述晶圆的上方位置1处，同时所述真空吸盘带动所述晶圆以速度1高速旋转；

S102、所述光刻胶喷嘴在所述位置1处喷出光刻胶，并沿着所述晶圆的径向以速度2向位置2处移动，移动过程中所述光刻胶喷嘴保持喷胶状态；

S103、所述光刻胶喷嘴到达所述位置2处并停留在所述位置2处持续喷胶一段时间后停止喷胶；

S104、所述真空吸盘带动所述晶圆以速度3高速旋转，以使喷涂于所述晶圆的表面的光刻胶均匀覆盖于所述晶圆的表面；

其中，所述位置1与所述位置2分别位于所述晶圆的中心的两侧。

作为一种优选，在S101中，所述位置1与所述晶圆的中心之间的水平距离a为0.5～5cm，所述速度1的旋转转速为2000～5000r/min。

作为一种优选，在S102中，所述光刻胶喷头的移动速度为0.5～10cm/s。

作为一种优选，在S103中，所述位置2与所述晶圆的中心之间的水平距离b为0.1～3cm。

作为一种优选，在S103中，所述光刻胶喷嘴在所述位置2处的停留时间为0～2s。

作为一种优选，在S104中，所述速度3的旋转转速为2500～5000r/min。

作为一种优选，当所述位置1位于所述晶圆的中心的左侧时，所述位置2则位于所述晶圆的中心的右侧，所述光刻胶喷头从左向右移动。

作为一种优选，当所述位置1位于所述晶圆的中心的右侧时，所述位置2则位于所述晶圆的中心的左侧，所述光刻胶喷头从右向左移动。

本发明的有益效果为：

本发明的光刻胶的涂胶工艺，其不同于传统的在晶圆的正中心进行喷涂光刻胶，并通过旋转使光刻胶由中心一点向外围铺开的方式，通过在位置1和位置2两个位置之间一边喷胶一边从位置1向位置2移动，实现了同步喷胶与移动，降低涂胶设备对光刻胶喷嘴中心与晶圆中心定位稳定性的依赖，因而降低了晶圆表面的光刻胶对环境温湿度、喷嘴喷出的胶柱形状的要求，极大地改善光刻胶在晶圆上涂胶的均匀性。

附图说明

图1是本发明的光刻胶的涂胶工艺流程示意图。

图2是本发明的光刻胶的涂胶工艺的原理示意图。

图3是本发明的光刻胶的涂胶工艺的光刻胶喷嘴在位置1时的喷胶结构示意图。

图4是本发明的光刻胶的涂胶工艺的光刻胶喷嘴在位置2时的喷胶结构示意图。

图中：101-真空吸盘；102-晶圆；103-光刻胶喷嘴。

具体实施方式

下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。

图1为本发明的光刻胶的涂胶工艺流程示意图，图2是本发明的光刻胶的涂胶工艺的原理示意图，图3是本发明的光刻胶的涂胶工艺的光刻胶喷嘴在位置1时的喷胶结构示意图，图4是本发明的光刻胶的涂胶工艺的光刻胶喷嘴在位置2时的喷胶结构示意图。