[发明专利]一种光刻胶的涂胶工艺在审
申请号: | 201610867848.3 | 申请日: | 2016-09-30 |
公开(公告)号: | CN107885035A | 公开(公告)日: | 2018-04-06 |
发明(设计)人: | 张剑 | 申请(专利权)人: | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
主分类号: | G03F7/16 | 分类号: | G03F7/16 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 张海英,林波 |
地址: | 215300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光刻 涂胶 工艺 | ||
1.一种光刻胶的涂胶工艺,所述光刻胶涂布于晶圆(102)的表面上,所述晶圆(102)置于离心机的真空吸盘(101)上,所述晶圆(102)的上方设置有光刻胶喷嘴(103),其特征在于,所述涂胶工艺包括如下步骤:
S101、所述光刻胶喷嘴(103)移动至所述晶圆(102)的上方位置1处,同时所述真空吸盘(101)带动所述晶圆(102)以速度1高速旋转;
S102、所述光刻胶喷嘴(103)在所述位置1处喷出光刻胶,并沿着所述晶圆(102)的径向以速度2向位置2处移动,移动过程中所述光刻胶喷嘴(103)保持喷胶状态;
S103、所述光刻胶喷嘴(103)到达所述位置2处并停留在所述位置2处持续喷胶一段时间后停止喷胶;
S104、所述真空吸盘(101)带动所述晶圆(102)以速度3高速旋转,以使喷涂于所述晶圆(102)的表面的光刻胶均匀覆盖于所述晶圆(102)的表面;
其中,所述位置1与所述位置2分别位于所述晶圆(102)的中心的两侧。
2.根据权利要求1所述的涂胶工艺,其特征在于,在所述S101中,所述位置1与所述晶圆(102)的中心之间的水平距离a为0.5~5cm,所述速度1的旋转转速为2000~5000r/min。
3.根据权利要求1所述的涂胶工艺,其特征在于,在所述S102中,所述光刻胶喷头(103)的移动速度为0.5~10cm/s。
4.根据权利要求1所述的涂胶工艺,其特征在于,在所述S103中,所述位置2与所述晶圆(102)的中心之间的水平距离b为0.1~3cm。
5.根据权利要求1所述的涂胶工艺,其特征在于,在所述S103中,所述光刻胶喷嘴(103)在所述位置2处的停留时间为0~2s。
6.根据权利要求1所述的涂胶工艺,其特征在于,在所述S104中,所述速度3的旋转转速为2500~5000r/min。
7.根据权利要求1所述的涂胶工艺,其特征在于,当所述位置1位于所述晶圆(102)的中心的左侧时,所述位置2则位于所述晶圆(102)的中心的右侧,所述光刻胶喷头(103)从左向右移动。
8.根据权利要求1所述的涂胶工艺,其特征在于,当所述位置1位于所述晶圆(102)的中心的右侧时,所述位置2则位于所述晶圆(102)的中心的左侧,所述光刻胶喷头(103)从右向左移动。
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